مقاله اینورتر در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 مقاله اینورتر در word دارای 185 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله اینورتر در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله اینورتر در word

فصل اول-مدارهای موردنیاز برای کنترل موتور القایی
اینورتر  
1-1- اینورتر پل تکفاز  
1-2- اینورتر تکفاز PWM  
2- اینورترهای سه فاز  
3- اینورتر با تشدید سری  
4- اینورترهای منبع جریان  
4-1- اینورتر منبع جریان سه فاز  
5- منابع جریان  
5-1- مدولاسیون پهنای پالس در یک اینورتر منبع جریان تریستوری  
6- مقایسه محرکه های اینوتر منبع جریان و ولتاژ  
فصل دوم – کنترل موتور القایی
مقدمه  
1- اصول کنترل سرعت موتورهای القایی  
2- کنترل لغزش  
3- روشهای کنترلی موتورهای القایی، کنترل کننده اسکالر  
4- کنترل کننده اسکالر درایوهای موتور القایی با اینورتر VSI  
4-1- کنترل کننده سرعت، مدار باز  
4-2- کنترل کننده سرعت مداربسته با محدود کننده جریان  
5- کنترل کننده سرعت مدار باز ، در شیراط کنترل V/F  
6- کنترل برداری  
6-1- انواع روشهای کنترل برداری  
6-2- کنترل برداری مستقیم با جهت یابی شار فاصه هوایی و اینورتر PWM با جریان کنترل کننده  
6-3- کنترل کننده برداری مستقیم با جهت یابی شار استاتور  
6-4- کنترل برداری غیر مستقیم با جهتیابی شار رتور و اینوتر PWM با جریان کنترل شده  
6-5- کنترل برداری با اینورترها PWM و در شرایط کنترل ولتاژ  
6-6- کنترل برداری با استفاده از اینورتر CSI  
فصل سوم – روشهای الکتریکی و مکانیکی کنترل دبی در پمپها
چکیده  
1- مقدمه  
2- استخراج رابطه میان گشتاور، سرعت و دبی یک پمپ  
3- ارزیابی به کارگیری شیر فلکه به عنوان روش معمول کنترل دبی پمپ  
4- ارزیابی روش کنترل دور موتور القایی به منظور کنترل دبی سیال  
5- مقایسه نتایج حاصل از روشهای مختلف کنترل دبی سیال  
6- ارزیابی اقتصادی به کارگیری ASD  
نتایج  
فصل چهارم – کاربرد AC درایوها در پمپ های آبیاری و آبرسانی
مقدمه  
1- مشخصه های سیستم پمپ و بار و طبقه بندی پمپ ها  
2- مشخصه پمپ های روتو دینامیک  
3- تاثیر سرعت متغیر پمپ روی منحنی عملکرد آن  
4- پرفورمنس مکش پمپ (NPSH)  
5- نیازهای عملیاتی پمپ ها  
6- راندمان پمپ  
7- پمپ های موازی  
8- کنترل on/off پمپ های موازی  
9-1- کنترل فلو با روش شیر کنترل  
9-2- کنترل فلو با روش شیر BYPASS
9-3- کنترل فلو توسط درایوهای دور متغیر  
10- آبیاری در مزارع (Irrigation)  
11- روشهای مختلف استفاده از درایو برای کنترل پمپ  
11-1- روش مالتی مستر Multi Master  
11-2- روش Multi Follower  
11-3- تشریح عملکرد کنترل در روش Advance level Control  
فصل پنجم
مقدمه  
1- مصرف انرژی در موتورهای الکتریکی  
2- موانع در سیاستگذاری انرژی  
3- انتخاب موتور مناسب  
3-1- تطابق موتور و بار  
3-2- موتورهای با راندمان بالا  
4- اقدامات مورد نیاز برای بهبود عملکرد سیستمهای مرتبط با الکتروموتورها  
4-1- کیفیت توان Power Quality  
4-2- تثبیت ولتاژ شبکه  
4-3- عدم تقارن فاز  
4-4- ضریب قدرت  
5- روشهای عملمی برای افزایش بازدهی موتور  
6- دستورالعملهای لازم برای بهبود عملکرد موتورهای الکتریکی  
7- دسته بندی اقدامات لازم برای بهینه سازی مصرف انرژی  
8- تکنولوژی الکترونیک قدرت و درایوهای AC  
9- کنترل کننده دور موتور  
10- مزایای استفاده از کنترل کننده های دور موتور  
11- مدیریت بهینه سازی مصرف انرژی و نقش کنترل کننده های دور موتور  
12- پمپها و فنها  
13- قوانین افینیتی در کاربردهای پمپ و فن  
14- محاسبات صرفه جویی انرژی در فن  
15- یک مطالعه موردی در ایران  
16- سیستمهای تهویه مطبوع  
17- ماشین تزریق پلاستیک  
18- صرفه جویی انرژی در تاسیسات آب و فاضلاب  
19- کمپرسورها  
20- نیروگاه ها  
21- سیمان  
22- قابلیتهای کنترل کننده دور موتور مدرن  
22-1- نرم افزار کاربردی کنترل پمپ و فن  
22-2- نرم افزار کاربردی کنترل سطح پیشرفته  
22-3- نرم افزار کنترلی Master Follower  
23- درایوهای دور متغیر VACON مصداقی از درایوهای مدرن  
24- مسائلی که درایوهای دور متغیر به وجود می آورند  
منابع  

بخشی از منابع و مراجع پروژه مقاله اینورتر در word

1- دکتر هاشم اورعی،”بهینه سازی مصرف انرژی در الکتروموتورهای صنعتی” مرکز تحقیقات نیرو، 1373

2- کاظم دولت آبادی، “ارزیابی و انتخاب درایو Medium Voltage”، شرکت پرتوصنعت، 1382

4-      Howard W. Penrose, ”A novel approach to industrial assessments for improved energy, waste stream, process and reliability”, Kennedy-WesternUniversity,

5-     Shawn McNulty, Bill Howe, “Power Quality Problems and Renewable Energy Solutions”, 2002

6-     “Optimizing your motor-driven systems”,motor.doe.org

7-     “Reducing power factor cost”,motor.doe.org

8-     Determining Electric Motor Load and Efficiency”, motor.doe.org

9-     Dipl.Ing.(FH) Hugo Stadler ,“Energy Savings by means of Electrical Drives”, Loher GmbH

10-Anibal T. De Almeida, Paula Fonseca, & others,“Improving the penetration of Energy-Efficient Motors and Drives”, University of Coimbra, Department of Electrical Engineering

11-A.Shirazi, “ Potential Fro Implementation Of Energy Saving Measures In Selected Cement Factories    In Iran “, Flensbusg University , Germany , March ,

12-”Lower energy and chemicals costs at swedish sewage treatment plant”,

14-”Environmentally sound energy efficient strategies: a case study of the power sector in India “,

15-”Variable Speed Driven Pumps: Best Guide Practice”,

16-Kevin Wright,”Energy Solutions,”Rockwell Automation, July

Bimal K. Bose,”Energy, Environment, and Advances in Power Electronics,” IEEE Trans. Power Electronics, VOL. 15, No. 4, July

17- الکترونیک قدرت و کنترل ماشین های الکتریکی AC

تالیف: B.K.Bose ، مترجمان: دکتر ابوالفضل واحدی – دکتر ;

18- الکترونیک صنعتی، سیریل لندر

19- کنترل موتورهای الکتریکی با مبدل های الکترونیک قدرت G.K.Dubey

20- الهام صادقیان : «کنترل سرعت موتور القایی به روش DTC» پایان نامه کارشناسی ارشد قدرت دانشگاه خواجه نصیرالدین طوسی

21- اروینگ اج شیمز : «مکانیک سیالات» ترجمه مجتبی ضیایی

22- برنامه کاربردی پمپ، مقاله مهندس مجید زمانی، شرکت پرتو صنعت

اینورتر

همانطور که می دانیم وظیفه اینوتر تبدیل dc به ac می باشد که این کار هم در فرکانس ثابت و هم در فرکانس متغیر صورت می گیرد . ولتاژ خروجی می تواند در یک فرکانس متغیر یا ثابت دارای دامنه متغیر یا ثابت باشد که ولتاژ خروجی متغیر می تواند با تغییر ولتاژ ورودی dc و ثابت نگهداشتن ضریب تقویت اینوتر بدست آید . از سوی دیگر اگر ولتاژ ورودی dc ثابت و غیرقابل کنترل باشد
می توان برای داشتن یک ولتاژ خروجی متغیر از تغییر ضریب تقویت اینوتر که معمولاً با کنترل مدولاسیون عرض پالس ( PWM ) در اینورتر انجام می شود استفاده کرد. ضریب تقویت اینوتر عبارت است از نسبت دامنه ولتاژ ac خروجی به dc ورودی

اینوترها به دو دسته تقسیم می شوند : 1) اینوترهای تک فاز و 2) اینورترهای سه فاز . که خود آنها نیز بسته به نوع کموتاسیون تریستورها به چهار قسمت تقسیم می شوند . الف. اینوتر با مدولاسیون عرض پالس ( PWM ) ، ب. اینوتر با مدار تشدید ، پ. اینوتر با کموتاسیون کمکی ، ت. اینوتر با کموتاسیون تکمیلی . که اگر ولتاژ ورودی اینوتر ، ثابت باشد ، اینوتر با تغذیه ولتاژ ( VSI ) و اگر ورودی ثابت باشد ، آن را اینوتر با تغذیه جریان ( CSI ) می نامند

از بین اینورترهای تکفاز دو نوع معروف به نام اینوتر تکفاز با سر وسط و اینوتر پل تکفاز می باشد که در اینجا به اختصار نوع پل تکفاز آن را بررسی کرده و سپس راجع به اینوترهای سه فاز توضیح خواهیم داد

1-1 ) اینوترپل تکفاز

در این نوع اینوتر همانطور که در شکل 1 نشان داده شده است با آتش شدن تریستور مکمل T4 تریستور T1 خاموش می گردد . اگر بار سلفی باشد جریان بار بلافاصله معکوس نمی شود و لذا وقتی کموتاسیون کامل شد تریستور T4 خاموش می شود و جریان بار به دیود D4 منتقل می شود . فرمان کموتاسیون نسبت به زمان فرکانس بار اینوتر خیلی کوتاه می باشد . در اینجا ما کموتاسیون را ایده آل فرض می کنیم

حال اگر بار مقاومتی خالص باشد روشن کردن متناوب T1T2 و T3T4 باعث می شود که یک شکل موج مربعی دو سر بار قرار گیرد هر چند در حالت بار سلفی شکل موج جریان تأخیر دارد ولی مربعی می باشد . این شکل موج مربعی در شکل 2- الف نشان داده شده است . تریستور با استفاده از یک قطار پالس که به صورت 180o به آن اعمال می شود روشن می شود . به وسیله انتهای نیم پریود مثبت معلوم می شود که جریان بار مثبت بوده و به صورت نمایی افزایش می یابد . وقتی که تریستور T1 و T2 خاموش می شوند تریستورهای T3 و T4 روشن شده و ولتاژ بار معکوس می گردد ولی جریان بار تغییر نمی کند و مسیر جریان بار دیودهای D3 و D4 می باشند که منبع dc را به دو سر بار وصل می کنند و ولتاژ معکوس شده و انرژی تا زمانی که جریان به صفر برسد از بار به منبع منتقل می شود از آنجایی که در لحظه صفر شدن بار جریان تریستورها نیاز به تحریک ( آتش شدن ) مجدد دارند لذا یک قطار پالس آتش نیاز است تا هر لحظه که جریان صفر شد بلافاصله تریستورهای بعدی را روشن کند

می توان ولتاژ خروجی را به صورت شکل موج مربعی با پریود صفر نیز درست کرد . همانطور که در شکل 2- ب نشان داده شده این نوع شکل موج را می توان با جلو بردن زاویه آتش تریستورهای مکمل T1T4 نسبت به تریستورهای T2T3 درست کرد همانطور که از شکل دیده می شود قطار پالس آتش تریستور T1 و T4 به اندازه f درجه عقب تر از قطار پالس تریستور T2 و T3 می باشد . در شکل 2- ب فرض کنیم با خاموش شدن تریستور T1 ، تریستور T4 روشن شود ، جریان بار به دیود D4 منتقل می شود اما از آنجاییکه تریستور T2 هنوز روشن است جریان بار در مسیر D4 و T2 جاری می شود ، بار اتصال کوتاه شده و ولتاژ بار صفر می شود . وقتی که تریستور T2 خاموش و تریستور T3 روشن می شود تنها مسیر جریان بار دیود D3 می باشد و منبع dc در جهت منفی به بار متصل می شود و تریستورهای T3 و T4 بلافاصله بعد از صفر شدن جریان بار هدایت می کند لذا شکل جریان تریستور و دیود متفاوت می شود

1-2 ) اینوتر تکفاز PWM

اینوتر کنترل شده جهت تولید شکل موج مدوله شده عرض پالس دارای شکل موجی مطابق شکل 3 می باشد . همانطور که از شکل دیده می شود دراین روش سعی شده است که در نقاط نزدیک پیک پریود روشن بودن طولانی تر باشد این روش را کنترل مدولاسیون پهنای پالس ( PWM ) می نامند . دراین روش ها مونیکهای مرتبه پایین در شکل موج مدوله شده پهای پالسی خیلی کمتراز شکل موجهای دیگراست

با توجه به شکل 3 ملاحظه می کنید که در برخی از فواصل ولتاژ اعمال شده به مدار مصرف باید صفر باشد که عملی کردن آن به این صورت است که در طی این فواصل یا تریستورهای T1 و T3 بطور همزمان روشن هستند و یا تریستورهای T2 و T4 . به هر حال ، خروج دیود و تریستور که به صورت سری با بار قرار می گیرند باعث اتصال کوتاه شدن بار می شوند . در این روش باید توجه شود که در هر سیکل تعداد کموتاسیون ، حداقل بوده و نیز تریستورها به صورت قرینه روشن شوند

برای تولید یک شکل موج همانند شکل 3 نیازمند اعمال کموتاسیونهای زیادی درهر سیکل هستیم از آنجایی که در انتها و ابتدای هر سیکل ، باید دو سر بار اتصال کوتاه شده و ولتاژش صفر شود لذا باید یک تریستور در ابتدا و انتهای سیکل قطع شود که این عمل تلفات ناشی از کموتاسیون را افزایش می دهد . اما برای کاهش این تلفات باید مقدار کموتاسیون درهر سیکل کاهش یابد که این کاهش تعداد کموتاسیون به صورت زیر می باشد که در انتهای هر پالس تنها یکی از دو تریستور هادی جریان قطع گردد و هیچ تریستور دیگری به منظور اتصال کوتاه کردن دو سر بار روشن نگردد . و در شروع پالس بعدی ، آن تریستوری که در انتهای پالس قبلی خاموش شده بود بار دیگر روشن گردد

2- اینورترهای سه فاز

در کاربردهای با توان بالا ( یا سایر جاهایی که به سه فاز نیاز باشد ) از اینورترهای سه فاز استفاده می شود . اینوتر سه فاز را می توان با اتصال موازی سه اینورتر تکفاز پل درست کرد و همچنین باید توجه داشت که جریان گیت آنها باید با هم 120o اختلاف فاز داشته باشد تا ولتاژهای سه فاز متقارن ایجاد گردد . برای حذف هارمونیکهای مضرب سه در ولتاژ خروجی می توان از یک تراشی درخروجی اینوتر استفاده کرده و اتصال ثانویه آن را ستاره می بندد و بار را نیز یا مثلث یا ستاره بست . مطابق شکل 4 که یک مدار اینوتر سه فاز را نشان می دهد شامل 6 تریستور ، 6 دیود و منبع تغذیه می باشد

این اینوترها دارای ساختمان کلی مطابق شکل 4 بوده و براساس نحوه سیگنال فرمان به دو دسته تقسیم می شوند . 1- در هر لحظه دو تریستور هدایت می کند . 2- در هر لحظه سه تریستور هدایت می کند

با وجود این دو روش سیگنال فرمان گیت ها باید به گونه ای باشد که در هر فاصله 60o ، به گیت وصل یا از آن قطع شود و همچنین اینوترها نیز به گونه ای طراحی شده اند که هر کدام بتوانند 180o هدایت کنند . و همچنین اگر باری که توسط اینورتر تغذیه می شود سلفی باشد جریان بار در هر فاز نسبت به ولتاژ پس فاز می شود

1- روش اول : در این روش در هر لحظه دو تریستور هدایت می کند چون کلاً 6 تریستور داریم جمعاً 120*6=720o هدایت داریم و در هر 360o تعداد تریستورهایی که هدایت می کنند برابر است با

یعنی در هر لحظه دو تریستور به صورت همزمان هدایت می کنند که یکی از تریستورها جریان را به بار می برد و دیگری نیز جریان را از بار برمی گرداند . مطابق شکل 5 ملاحظه می شود که با قطع شدن جریان گیت ig1 ، جریا گیت ig4 وصل می شود در عمل باید یک زمان کافی برای خاموش شدن تریستور T1 باشد از انجا که پس از قطع ig1 ، جریان گیت ig4 عمل می کند لذا تریستور T1 زمان کافی برای خاموش شدن خود ندارد و لذا هنگام اعمال تریستور T4 و قطع شدن T1 منبع توسط آنها اتصال کوتاه می شوند هر چند که اگر زمان کافی برای خاموش شدن تریستور T1 در نظر گرفته شود و لیکن کموتاسیون به خوبی صورت نگیرد باز هم یک اتصال کوتاه مخرب در منبع تغذیه رخ می دهد . که این یکی از عیبهای روش دوم است . با استفاده از روش دو تریستوری خطر اتصال کوتاه شدید منبع را می توان حل کرد در این حالت یک فاصله زمانی 60o بین ابتدای پالس فرمان یک تریستور و انتهای پالس فرمان مربوط به تریستور دیگری که با آن سری شده است وجود دارد که این خود مدت زمان بیشتری را برای خاموش شدن تریستور اول فراهم می کند علاوه بر این اگر هر گونه تأخیر در قطع شدن تریستور T1 ، به هر علت ناشی از عیبهای مختلف تنها منجر می گردد جریان بار دو مسیر جهت عبور داشته باشد که این عمل می تواند موجب نامتعادلی جریان بار شود و هرگز اتصال کوتاه شدید منبع تغذیه را در بر نخواهد داشت

در این وضعیت هر 6 فرمان قطع در هر پریود لازم خواهد بود پس در این حالت سیگنال فرمان هم هر سیکل را می تواند به 6 فاصله زمانی مطابق شکل 5-b تقسیم بندی کند . از آنجا که در هر تریستور با اتمام سیگنال فرمانش قطع می شود پس در حالتی که بار غیراهمی باشد پتانسیل تنها دو ترمینال خروجی اینورتر در هر لحظه قابل بیان است

روش دوم : در این روش در هر لحظه سه تریستور هدایت می کند . روندی که در این روش برای سیگنال های فرمان در نظر گرفته می شود بدین صورت است که در این حالت هر تریستور فاصله 180o را هدایت می کند و چون کلاً 6 کلید داریم لذا کل هدایت می شود

6 * 180o = 1080o

که باز هم مثل روش قبل اگر آنرا بر 360o تقسیم کنیم معلوم می شود که درهر لحظه  کلید باید وصل شود که در این حالت یک یا دو کلید جریان را به بار می برند و دو یا یک کلید جریان را از بار برمی گرداند . ترتیبی که در این حالت برای سیگنالهای فرمان در نظر گرفته می شود در شکل 6 نشان داده شده است . که در آن سه تریستور به طور همزمان در حال هدایت جریان می باشند

 به راحتی می توان پتانسیل ترمینالهای خروجی اینوتر را درهر یک از فواصل زمانی این سیگنالهای فرمان تعیین نموده و از آنجا ولتاژهای خط خروجی را معین نمود . در این حالت یک گروه ولتاژ متناوب سه فاز متعادل خواهیم داشت . به طوریکه این ولتاژها تحت تأثیر شرایط بار مصرف واقع نمی شوند و مجزا از متعادل یا نامتعادل بودن و یا خطی یا غیرخطی بودن بار عمل می کنند . اگر بار مصرفی خطی بوده و دارای اتصال مثلث باشد جریان شاخه ها را می توان با استفاده از ولتاژ حساب کرد اگر بار خطی بوده و اتصال آن نیز ستاره باشد در اینصورت با استفاده از روش جمع آثار می توان جریان شاخه های بار و ولتاژ فازی بار را بدست آورد

در پایان هر یک از فواصل مشخص شده در شکل 6-b مربوط به ولتاژ خطی ، سیگنال فرمان از روی گیت یک تریستور برداشته می شود که در اکثر شرایط بار ، می بایست قطع اجباری در مورد آن صورت پذیرد . پس در هر پریود 6 مرتبه عمل قطع اجباری باید انجام شود . فرمان گیت کلیدها در شکل داده شده دیده می شود که در  اول T6-T1 ، در  دوم سیکل T1-T2 و به همین ترتیب T2-T3 ، T3-T4 ، T4-T5 ، T5-T6 هدایت می کنند . یکی از شکل موجها را رسم می کنیم و سپس بقیه شکل موجها به همین روش مشخص می شوند

– بررسی شکل موج ولتاژ در  ابتدای سیکل کلیدهای 1 و 6 فرمان دادند پس مدار به صورت شکل 7 در می آید و داریم

 یکی از موارد خاص مورد توجه ، در به کارگیری این اینورتر با یک مدار مصرفی مقاومتی متعادل با اتصال ستاره می باشد که در شکل 7- الف نشان داده شده وضعیتهای 3 , 2 , 1 مدار معادل سیستم را در سه پریود متوالی از سیکل ولتاژ خط نشان می دهد . با تقسیم ولتاژ روی مدارهای شکل7-2 الف ولتاژهای فازی مدار مصرف را می توان تعیین نمود و از آنجا شکل موج ولتاژهای فازی مطابق شکل 6 بدست می آید

با یک بار اهمی ، تنها تریستورها هادی جریان بوده و بنابراین از دید تئوری می توان دیودها را حذف نمود بدون آنکه در عملکرد مدار خللی وارد آید

اما در ادامه در  دوم سیکل کلیدهای 1 و 2 وصل شده و داریم

و در  سوم سیکل کلیدهای 2 و 3 وصل شده و داریم

در  چهارم سیکل کلیدهای 3 و 4 وصل و در  سیکل پنجم نیرو کلیدهای 4 و 5 وصل شده و داریم

و در  پایانی سیکل کلیدهای 5 و 6 وصل شده و داریم

Vb و Vc نیز مشابه Van ولی با 120o اختلاف فاز خواهند بود

3- اینورتر با تشدید سری

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله کنترل توان راکتیو در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 مقاله کنترل توان راکتیو در word دارای 97 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله کنترل توان راکتیو در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله کنترل توان راکتیو در word

پیشگفتار 
فصل اول
تئوری جبران بار 
ضرورت جبران سازی 
جبران کننده ایده آل 
بایاس کردن توان راکتیو 
جبران کننده بار بصورت رگولاتور ولتاژ 
فصل دوم
تئوری کنترل توان راکتیو در سیستمهای انتقالدر حالت ماندگار 
نیازمندیهای اساسی در انتقال 
خطوط انتقال جبران نشده 
خطوط انتقال جبران نشده در حالت بارداری        
نیازمندی توان راکتیو      
خطوط انتقال جبران شده      
جبران کننده های اکتیو وپاسیو    
کنترل ولتاژ بوسیله سوئیچ کردن جبران کننده موازی     
جبران سری    
اهداف کلی ومحدودیت های عملی     
مثال     
فصل سوم
جبران توان راکتیو ورفتار دینامیکی سیستمهای انتقال     
ضرورت جبران    
چهار پریود زمانی     
جبران سازی دینامیک سیستم    
جبران موازی پاسیو   
پریود اولین نوسان    
جبران کننده های استاتیک    
ممانعت از ناپایداری ولتاژبا استفاده از جبران استاتیک    
فصل چهارم
خازنهای سری    
مقدمه     
طراحی تجهیزات واحدهای خازن   
آرایش فیزیکی           
وسایل حفاظتی         
روشهای وارد کردن مجدد خازن      
اثرات رزونانس با خازنهای سری    
فصل پنجم
کندانسورهای سنکرون 
جنبه های طراحی کندانسور 
تامین توان راکتیو ضروری 
تقلیل نوسانات گذرا 
روشهای راه اندازی 
سیستمهای کمکی 
فصل ششم
هارمونیک 
اثرات هارمونیک بر تجهیزات الکتریکی 
رزونانس،خازنهای موازی،فیلترها 
سیستم فیلتر 
اعوجاج در ولتاژهارمونیک 

پیشگفتار

توان راکتیو یک از مهمترین عوامل حائز اهمیت در طراحی و بهره برداری سیستمهای قدرت الکتریکی جریان متناوب از دیر باز مورد توجه بوده است .در یک بیان ساده و بسیار کلی میتوان گفت از آنجاییکه امپدانسهای اجزاء سیستم قدرت بطور غالب راکتیو می باشند،انتقال توان اکتیو مستلزم وجود اختلاف زاویه فاز بین ولتاژهای ابتداو انتهای خط است.درحالیکه برای انتقال توان راکتیولازم است که اندازه این ولتاژهامتفاوت باشد.بنابراین باید توان راکتیو در بعضی از نقاط سیستم تولید و سپس به محلهای مورد نیاز منتقل شود.اما به چه دلیل میخواهیم توان راکتیو را انتقال دهیم؟ جواب این است که نه تنها اغلب اجزاءسیستم توان راکتیو مصرف می کنندبلکه اکثر بارهای الکتریکی نیز توان راکتیو مصرف می کنند.بنابراین توان راکتیو مصرفی بایستی از محلی تامین گردد.اگر قادر نباشیم آن را به سهولت انتقال دهیم آنگاه بایستی در محلی که مورد نیاز است آن را تولید نماییم. یک رابطه بنیادی مهمی بین انتقال توان راکتیو و اکتیو وجود دارد.همانطوریکه گقتیم انتقال توان اکتیو مستلزم جابجایی فاز وولتاژها می باشد.لیکن مقدار ولتاژهانیز به همین منوال حائز اهمیت است.مقدار آنها نه تنها بایستی بقدر کافی بالا باشد که بتواند بارها را حمایت نماید،بلکه بقدر کافی پایین باشدکه بتواند که منجر به شکست عایقی تجهیزات عایق نگردد.بایستی،بنابراین-در صورت لزوم ولتاژها را در نقاط کلیدی کنترل کرده و یا حمایت یا محدودیتی را به آن اعمال کنیم.این عمل کنترل می تواند در سطح وسعی بوسیله تولیدیا مصرف توان راکتیودر نقاط کلیدی صورت گیرد.در عمل تمام تجهیزات یک سیستم قدرت برای ولتاژ مشخصی،ولتاژنامی، طراحی می شوند.اگر ولتاژازمقدار نامی خودمنحرف شود ممکن است باعث صدمه رساندن به تجهیزات سیستم ویا کاهش عمر آنهاگردد.برای مثال گشتاوریک موتور القایی با توان دوم ولتاژترمینالهای آن متناسب است.بنابراین تثبیت ولتاژنقاط یک سیستم قدرت کاملاً ضروری است.بدیهی است که کنترل ولتاژتمام نقاط سیستم از لحاظ اقتصادی عملی نمی باشد.از طرف دیگر کنترل ولتاژدر حد کنترل فرکانس ضرورت نداشته ودر بسیاری از سیستمهای خطای ولتاژ در محدوده تنظیم می شود.توان راکتیو مصرفی بارها در ساعات مختلف در حال تغییر است،لذا ولتاژ وتوان راکتیوبایددائماًکنترل شوند.در ساعات پربار بارهاقدرت راکتیوبیشتری مصرف می کنندو نیاز به تولید قدرت راکتیوزیادی در شبکه می باشد.اگر قدرت راکتیو مورد نیاز تامین نشوداجباراًولتاژ نقاطمختلف شبکه کاهش یافته و ممکن است از محدوده مجاز خارج شود

نیروگاهها دارای سیستم کنترل ولتاژهستندکه کاهش ولتاژ را حس می کنندوفرمان کنترل لازم را برای بالا بردن تحریک ژنراتورو در نتیجه افزایش ولتاژژنراتور تا سطح ولتاز نامی صادرمی کند.با بالا بردن تحریک،قدرتراکتیوتوسط ژنراتورها تولید می شود.لیکن قدرت راکتیو تولیدی ژنراتورهابخاطر مسایل حرارتی سیم پیچ ها محدود بوده و ژنراتورها به تنهایی نمی تواند در ساعات پربار تمام قدرت راکتیو مورد نیاز سیستم را تامین کنند.بنابر این در این ساعات بوسایلی نیاز است که بتوانند قدرت راکتیو به شبکه تزریق نمایندتا سطح ولتاژدر محدوده مجاز قرار گیرند.در ساعات کم بار،بارها وعناصر شبکه،قدرت راکتیومصرف می کنند و کاپاسیتانس خطوط انتقال باعث اضافه شدن قدرت راکتیو تولیدی در شبکه می گردد. در این حالت ژنراتورها بصورت زیر تحریک بکار اقتاده و مقداری از قدرت راکتیو مصرفی ژنراتورها نیز محدود بوده وژنراتورها نمی توانند به تنهایی مساله اضافه تولید قدرت راکتیووافزایش ولتاژ ناشی از آن را حل کنند.بنابراین به وسایلی که بتوانند در این ساعات قدرت راکتیو اضافی سیستم را مصرف نمایند نیاز می باشد

گر چه این جنبه از توان راکتیو از دیر باز مورد توجه بوده است لیکن حداقل به 2 دلیل اهمیت زیادی پیدا کرده است

 1- مربوط به فشار روز افزون در جهت بهره برداری حداکثر ممکن از سیستمهای انتقال است و2- انواع جدید از جبران کننده های راکتیو استاتیکی قابل کنترل توسعه یافته است.درسنوات خیلی دوردر روند رشد شبکه های قدرت بای حمایت ولتاژو بهبود توانایی انتقال توان از کندانسورهای سنکرون استفاده گردید.همزمان در سیستم توزیع از خازنهای موازی برای بهبود پروفایل ولتاژوکاهش بارگیری خط وتلفات استفاده شد.توسعه سریع واقتصادی بودن خازنهای موازی منجر به جایگزینی آنها با کندانسورهای سنکرون در سیستمهای انتقال گردید.ملاحظه گردید که عملاً میتوان انچه را که کندانسورهای سنکرون انجام می داده اند از سوییچ کردن خازنهای موازی با هزینه ای خیلی کمتر بدست اورد.هم اکنون نشانه هایی است که مجدداً شیوه رجعت یافته وتامین توان راکتیو قابل کنترل در قالب وسایلی استاتیکی مطرح شده است. البته از نقطه نظر اقتصادی،هنوز بایستی یک مهندس سیستم تعیین کند که چقدر از خازن ثابت استفاده گرددو چه مقدارسوییچ گردد ودر نهایت چه مقداربطور پیوسته وسریع کنترل گردد

بدلایل متعددی که تعدادی از آنها را به اختصار در اینجا ذکر میکنم اهمیت روز افزون یافته-کنترل توان راکتیووبررسی روشهای کنترل ان- اینجانب را بر آن داشت که در قالب پروژه درسی به مطالعه وبررسی این مهم بپردازم

دلیل1): با توجه به قیمت سوخت،نیاز به بهره برداری بهینه از سیستمهای قدرت افزایش یافته است.برای توزیع یک مقدار معین توان به حداقل رساندن پخش توان راکتیو کل،تلفات کاهش می یابد.این اصل می تواند در شکل ساده یک خازن اصلاح کننده ضریب توان یک بار اندوکتیوی در قالب الگوریتمهای پیشرفته توسط کامپیوتر کنترل می شوند در سراسر سیستم اعمال گردد

دلیل 2) : بواسطه میزان بالای نرخ سود عموماً و مشکلات مربوط به حریم خطوط انتقال در مواردی خاص از توسعه واحداث شبکه های انتقال حتی الامکان جلوگیری می شود.در موارد متعددی سعی شده است که با استفاده از وسایل کنترل توان راکتیووبهبود پایداری،میزان توان انتقالی خطوط موجود افزایش داد

دلیل 3) : در بهره برداری از منابع آبی نیروگاههای دور دست نظیر مناطق کوهستانی توسعه یافته است.علیرغم توسعه تکنولوژی انتقال dc در بسیاری از این طرحهاانتقال ac ترجیح داده شده است.مسایل پایداری وکنترل ولتاژبه مسایل کنترل راکتیودر ارتباط داشته وراه حلهای زیادی ارایه گردیده است

دلیل 4): بواسطه مصرف روزافزون وسایل الکترونیکی(بخصوص کامپیوتروتلویزیون رنگی) و همچنین رشد صنایع با فرایند پیوسته،نیاز به داشتن تغذیه با کیفیت بالاافزایش یافته است.کاهش ولتاژ یا فرکانس اثر نامطلوبی رابرروی چنین بارهایی اعمال می کند وقطع تغذیه می تواند خیلی صدمه آوروپرهزینه باشد

-کنترل توان راکتیو یک ازار اساسی در حفظ کیفیت تغذیه می باشد.بخصوص برای جلوگیری از اغتشاشات ولتاژکه از عمومی ترین نوع اغتشاش می باشد.امواع معین از بارهای صنعتی، از آن جمله کوره های الکتریکی،دستگاههای حفاری و دستگاههای جوشکاری با دریافت توان راکتیوو اکتیواز سیستم تغذیه تغییرات سریع ووسیعی را بر آن تحمیل می نمایند.و اغلب لازم است که با بکار گرفتن وسایل تثبیت کننده ولتاژ،نظیر جبران کننده های توان راکتیواستاتسکس در طرف ac مبدلها این ضرورت را کاهش داد

دلیل 5): با توسعه واحداث خطوط انتقالdc کنترل توان راکتیودر طرف ac مبدلها ضرورت پیدا کرده تا بدینوسیله ولتازتثبیت گردیده وبه عمل کموتاسیون مبدل مساعدت گردد

در این پروژه ودر ادامه کلیه این مباحث از جنبه های مهندسی از نقطه نظر تئوری و عملی به بحث کشیده می شود

1-1 : ضرورت جبران سازی

 در یک سیستم ایده آل،هر بار مصرفی طوری طراحی می شود که به جای آنکه در یک محدوده وسیعی از ولتاژ غیر قابل پیش بینی رفتار وعملکرد مناسبی داشته باشددر یک ولتاژ معین تغذیه بهترین عملکرد را داشته باشد

در این فصل بصورت مختصربعضی ازمشخصه های سیستمهای قدرت وبارهایش که منجر به خراب کردن کیفیت تغذیه می شوند،با تاکید به آنهایی که با عمل جبرانسازی-یعنی با تامین یا جذب کردن مقدار مناسب توان راکتیو قابل تصحیح می باشند،شناسایی می گردند

1-2  : اهداف در جبران بار

جبران بار عبات است از مدیریت توان راکتیوکه به منظور بهبود بخشیدن به کیفیت تغذیه در سیستمهای قدرتac انجام می گیرد.اصطلاح جبران بار در جایی استعمال می شودکه مدیریت توان راکتیوبرای یک بار تنها انجام می گیردوبوسیله جبران کننده معمولاًدر محلی که در تملک مصرف کننده قراردارددر نزدیکی بار مصرفی نصب می شود.پاره ای از اهداف وروشهای بکار گرفته شده در جبران باربا آنچه که در جبران شبکه های وسیع تغذیه مورد نظر است بطورقابل ملاحظه ای تفاوت دارد.در جبران باراهداف اصلی سه گانه زیر مورد نظر است

1-   اصلاح ضریب توان

2-   بهبود تنظیو ولتاژ

3-   متعادل کردن بار

 اصلاح ضریب توان به این معناست که توان راکتیومورد نیاز بار به جای آنکه از نیروگاه دور تامین گردد در محمحل نزدیک بار تولید گردد.اغلب بارهای صنعتی دارای ضریب توان پس فاز هستندیعنی توان راکتیو جذب می نمایند.بنابراین جریان بارمقدارش از آنچه که برای تامین توان واقعی ضروری است بیشتر خواهد بود.تنها توان واقعی است که سر انجام در تبدیل انرژی مفید خواهد بودوجریان اضافی نشان دهنده اتلاف است که مشتری نه تنها بایستی بها هزینه اضافی کابلی که آن را انتقال می دهدبپردازدبلکه تلفات ژولی اضافی ایجاد شده در کبل تغذیه را نیز می پردازد

-تنظیم ولتاژدر حضور بارهایی که توان راکتیومصرفی آنها تغییر می کندیک موضوع مهمو در مواردی یک مساله بحران خواهد بود.توان راکتیو مصرفی کلیه بارها تغییر می کند،گرچه مقدار ومیزان تغییرات آنهاکاملاًمتفاوت است.این تغییرات توان راکتیودر تمامی مواردمنجر به تغییرات ولتاژدر نقطه تغذیه می گرددواین تغییرات ولتاژبر عملکردمفیدوموثرکلیه وسایل متصل به نقطه تغذیه مداخله نموده ومنجر به امکان تداخل در بارهای مصرف کننده های مختلف می گردد

بدیهی ترین روش بهبود ولتاژ((قوی تر کردن)) سیستم قدرت به کمک افزایش اندازه و تعدادواحدهای تولید کننده برق وباهرچه متراکم کردن شبکه های به هم پیوسته می باشد.این روش عموماً غیر اقتصادی بوده ومنجر به افزایش سطح اتصال کوتاه و مقادیر نامی کلیدها می شود.راه عملی تر وبا صرفه تر این است که اندازه این سیستم قدرت برحسب ماکزیمم تقاضای توان واقعی طراحی شودوتوان راکتیو بوسیله جبران کننده هایی که دارای قابلیت انعطاف بیش از مولدها بوده ودر تغییرسطح اتصال کوتاه دخالت ندارند-فراهم گردد

مساله سومی که در جبران بار مد نظر است متعادل کردن بار است.اکثر سیستمهای قدرتac سه فاز بوده وبرای عملکرد متعادل طراحی می شوند.عملکرد نا متعادل منجربه ایجاد مولفه های جریان توالی صفرومنفی می گردد.اینگونه مولفه های جریان اثرا نا مطلوبی چون ایجاد تلفات در موتورهاومولدها،گشتاور نوسانی در ماشینهای ac افزایش ریپل در یکسو کننده ها،عملکرد غلط انواع تجهیزات،اشباع ترانسفورماتورهاوجریان اضافی سیم زمین را به دنبال خواهد داشت.انواع خاصی از وسایل(منجمله برخی از جبران کننده ها)در عملکرد متادل هارمونیک سوم راکاهش می دهند.درشرایط کارنامتعادل این هارمونی نیز در سیستم قدرت ظاهرمی شود.هارمونیک ها معمولاًبوسیله فیلترحذف می گردندکه در آینده توضیح داده خواهد شد

1-3   : مشخصات یک جبران کننده بار

پارامترها وفاکتورهایی که بایستی در تعریف یک جبران کننده باردر نظر گرفت در لیست زیر بطور اجمال آمده است ومنظور ارائه لیست کامل نیست بلکه هدف ارایه یک ایده از نوع عملی جبران کننده ودر نظر گرفتن ملاحظات مهم است

1-   حداکثر توان راکتیوپیوسته مورد لزوم که بایستی جذب یا تولید گردد

2-   مقدار نامی اضافه بارو مدت زمان آن

3-   ولتازنامی وحدود ولتاژکه مقدار نامی توان راکتیو نبایستی از آن حدود تجاوز نماید

4-   فرکانس و تغییرات آن

5-   دقت لازم در تغییر ولتاژ

6-    زمان پاسخ جبران کننده در مقابل یک اغتشاش معین

7-   نیازمندیهای کنترل ویژه

8-   حفاظت جبران کننده وهماهنگی آن با حفاظت سیستم ودر نظر گرفتن محدودیت توان راکتیودر صورت لزوم

9-   حداکثر اعوجاج ناشی از هارمونیک بادر نظر گرفتن جبران کننده

10-     اقدامات مربوط به انرژی دار کردن واقدامات احتیاطی

11-     نگهداری ، قطعات یدکی،پیش بینی برای توسعه،وآرایش جدید سیستم در آینده

12-     عوامل محیطی،سطح نویز،نصب تاسیسات در محیط باز یا بسته،درجه حرارت،رطوبت،آلودگی هوا،باد و زلزله،نشتی در ترانسفورماتورها،خازنها،سیستمهای خنک کننده

13-     رفتار وعملکرددرمعرض ولتاژتغذیه نامتعادل ویا بارهای نا متعادل

14-     نیازمندیهای کابل کشی و طرح بندی وآرایش اجزاء قابل دسترسی بودن،محصور بودن،زمین کردن

15-     قابلیت اعتمادوخارج از سرویس بودن اجزاء

در مورد جبران کوره های الکتریکی بایستی نسبت بهبود یا نسبت کاهش چشمک زدن به عنوان معیاری برای سنجش رفتار و عملکرد جبران کننده مشخص شود

1-4 : بایاس کردن توان راکتیو

 

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

پروژه طراحی و ساخت یک رله دیستانس میکروپروسسوری در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 پروژه طراحی و ساخت یک رله دیستانس میکروپروسسوری در word دارای 22 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد پروژه طراحی و ساخت یک رله دیستانس میکروپروسسوری در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه پروژه طراحی و ساخت یک رله دیستانس میکروپروسسوری در word

چکیده  
1- مقدمه  
2- ویژگیهای رله  
3- ساختمان داخلی  
4-  نحوه عملکرد واحد اندازه گیری  
1-4-  روش(I)  
2-4-  روش(II)  
3-4-  روش(III)  
5- شبیه سازی کامپیوتری روش های یاد شده  
6- نتایج آزمایشگاهی  
7- نتایج  

چکیده

مقاله حاضر حاصل بخشی از تحقیقی است که در قالب پروژه “طراحی و ساخت رله‌های حفاظتی میکروپروسسوری” به منظور کسب دانش فنی لازم جهت ساخت رله‌های حفاظتی در داخل کشور انجام گرفته است .در این مقاله نخست روش های مختلفی که برای محاسبه دیجیتالی امپدانس خط می تواند بکار رود با در نظر گرفتن سرعت و دقت آنها مورد بررسی و مقایسه قرار داده شده اند .شبیه سازی کامپیوتری روش های یاد شده به انجام این مقایسات کمک نموده است.سپس به ارائه روشی جدید مبادرت شده است که قدرت تضعیف هارمونیک ها در آن نسبت به روش های قبل بیشتر است

نتایج حاصل از انجام آزمایشات متعدد با بکارگیری دستگاههای آزمایشگر پیشرفته مبیّن کارآیی روش پیشنهاد شده و صحت عملکرد رله می باشند

1- مقدمه

حفاظت تجهیزات در سیستم های تولید، انتقال و توزیع انرژی الکتریکی توسط رله ها صورت می پذیرد .با توجه به قابلیّت های بی شمار سیستم های میکروپروسسوری و انعطاف فوق العاده ای که نرم افزار این سیستم ها در اختیار کاربر قرار می دهد، جایگزینی رله های الکترومکانیکی قدیمی با رله های میکروپروسستوری شتاب روز افزونی به خود گرفته است .در میان تمام مباحث حفاظت کامپیوتری، حفاظت دیستانس خط انتقال نیرو نظر محققان بیشتری را به سوی خود جلب کرده است. عوامل گوناگونی سبب این امر شده اند .نخست اینکه حفاظت خط حجم عملیّات محاسباتی بسیار زیادی را در زمان کوتاه طلب می کند و دیگر اینکه قیمت زیاد رله های حفاظت خط قدیمی راه غلبه رله های کامپیوتری را هموارتر ساخته است

در حال حاضر به دلیل محدودیت هایی که وزارت نیرو در تأمین تجهیزات حفاظتی با آنها مو اجه است، ضرورت تحقیق گسترده در این زمینه و کسب دانش فنی جهت تولید انبوه رله ها کاملاً احساس می شود .در این رابطه مرکز تحقیقات نیرو مبادرت به اجرای پروژه ای تحت عنوان ” طراحی و ساخت رله های حفاظتی میکروپروسسوری” نموده است.مقاله حاضر حاصل بخشی از این پروژه است که طی آن ضمن شرح خلاصه ای از فعالیت های انجام گرفته جهت طراحی و ساخت رله دیستانس به ارائه نتایج اخذ شده پرداخته شده است

2- ویژگیهای رله

شمای ظاهری رله دیستانس طراحی شده را در شکل (1) مشاهده می‌کنید.برخی از ویژگیهای این رله بدین قرار است

– مشخصه حفاظتی چهارگوش

– آشکارسازی انواع مختلف خطاها اعم از خطاهای زمین و خطاهای فاز تنها به کمک یک سیستم اندازه گیری

– سه ناحیه حفاظتی جهت دار

– محدوده تنظیم بسیار گسترده و مجزا برای هر ناحیه حفاظتی

– استارتر جریان اضافی

– جبران امپدانس توالی صفر در خطاهای زمین

– زمان قطع در حدود یک سیکل

قابل استفاده در طرحهای مختلف حفاظتی اعم از ،(Direct DI (Time Stopped Distance) TSD   و (Blocking) BLK,(Permissive Underreach) PU ,Intertrip)

بکار گیری حافظه ولتاژ برای تشخیص خطاهای سه فازه نزدیک رله

تشخیص قطع فیوز PT

 حفاظت Switch Onto Fault

 

3- ساختمان داخلی

بلوک دیاگرام این رله در شکل (2) رسم شده است .همانطور که از این شکل ملاحظه می شود سیستم از واحدهای مختلف تشکیل یافته است .واحدهای ورودی(1و2) شامل ترانسفورمرهای جریان و ولتاژ و بخش آماده سازی سیگنال ها می‌گردد

از وظایف این واحدها می توان به ایجاد ایزولاسیون لازم بین مدارهای داخلی رله و سیگنال های قدرت، رساندن جریان ها و ولتاژها به سطوح پائینتر مناسب جهت مدارهای الکترونیکی و حذف نویز و فرکانس های بالای سیگنال ها اشاره کرد. واحداستارتر وظیفه تشخیص خطا و صدور فرمان استارت به دیگر واحدها را بر عهده دارد .واحد انتخاب کننده در هر لحظه از زمان اطلاعات مربوط به یکی از فازها را انتخاب و به واحد اندازه گیری وارد می کند .عملکرد این واحد مستقیماً توسط واحد استارتر کنترل می‌گردد .واحد زمان بندی توسط واحد استارتر فعال شده و زمان عملکرد رله را بسته به محدوه حفاظتی خاصی که خطا در آن وقاع شده است تنظیم می نماید .واحد اندازه‌گیری وظیفه الکترونیکی امپدانس خطا و مقایسه آن با مقادیر از پیش تنظیم شده را طبق الگوریتم تدیون شده بر عهد ه دارد .واحد سیگنالینگ وظیفه صدور علائم هشدار دهنده به اپراتور و سیستم های جانبی را عهده دار است .واحد تریپ وظیفه ارسال فرمان تریپ در صورت برآورده شدن کلیه شرایط تریپ را بر عهده داشته و بالاخره واحد خروجی از یک رله کمکی تشکیل یافته و وظیفه ارسال فرمان تریپ به بریکر را عهده دار است

البته لازم به ذکر است که مجزا کردن این واحدها از یکدیگر تنها با هدف حصول درک روشنتری از نحوه عملکرد رله انجام پذیرفته است و به این مفهوم نبوده که واحدهای مجزا لزوماً به لحاظ سخت ا فزاری مستقل از یکدیگر باشند .ساختار سخت افزار این رله همانند یک سیستم پردازش دیجیتال عمومی و مبتنی بر یک میکروکنترلر  87196 KC طراحی گردیده است.این پردازشگر علاوه بر دارا بودن مزایای میکروکنترل های دیگر اعم از مجتمع بودن کلیه واحدهای جانبی در یک تراشه، مصو نیت در مقابل اغتشاش و غیره، از سرعت بالا و تنوع زیاد دستورالعمل ها نیز برخوردار بوده که مجموعه این قابلیّت ها سبب انتخاب آن برای ساخت رله دیستانس شده است

4-  نحوه عملکرد واحد اندازه گیری

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

پروژه تعمیر تلویزیون (تیونرها) در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 پروژه تعمیر تلویزیون (تیونرها) در word دارای 70 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد پروژه تعمیر تلویزیون (تیونرها) در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه پروژه تعمیر تلویزیون (تیونرها) در word

تیونر
دیودهای واریکاپ چه عملی انجام می دهند ؟
بررسی تیونر تلویزیون رنگی شهاب 21 اینچ
باند انتخابی
طریقه تنظیم کانال
AGC تیونر (AGC Delay )
سیستم AFT
طریقه کانال یابی اتومات
طبقه IF آشکار ساز و AGC
الف- بخش تقویت IF
ب- بخش آشکار ساز تصویر
ج- بخش AGC
AFT (اتوماتیک فرکانس کنترل)
نمای کلی طبقات IF ، آشکار ساز و AGC
بررسی طبقه تقویت IF ، آشکار ساز و AGC تلویزیون رنگی شهاب 21 اینچ
بخش AGC
تشخیص سالمی طبقه IF
تشخیص سالمی AGC
تشخیص سالمی AFT
تنظیمات طبقه IF
الف –اگر انجام این کار درصداوراستر اثری نداشت
ب –درصورتیکه سیگنال دادن به ورودی طبقه IF درصدا وراستر اثرکرد
مدارات رنگی
سیستم سکام
کلید سکام
فیلتر آنتی بل
پالس برست چیست ؟
گیرنده (دیکدور) سکام
خط تاخیر (Dily lin ) چیست و برای چه منظوری استفاده می شود؟
کلید سکام گیرنده چیست و امواج B-YوR-Yچگونه آشکار می شوند ؟
2-طریقه جداسازی پالسهای برست
برست جداشده را چگونه شناسایی کنیم ؟
مدار قطع رنگ
فیلیپ فلاپ چیست ؟
از خروجی فیلیپ فلاپ چه استفاده ائی می شود ؟
سیستم NTSC
الف –فرستنده NTSC
ب –گیرنده (دیکدور )NTSC
سیستمPAL
الف –فرستنده پال
ب –گیرنده پال
مدارات رنگ درتلویزیون رنگی شهاب 21اینچ
الف –حالت سکام
دیکدور پال در تلویزیون شهاب 21 اینچ
دیکدورNTSCNرتلویزیون رنگی شهاب 21اینچ
طریقه تعمیر در صورتی که تلویزیون در حالت NTSCVرنگ نداشت
2-طریقه تشخیص NTSCاز PAL
عیوب مدارات سوئیچ سیستم های رنگ
طریقه نصب دیکدورهای رنگ بر روی انواع تلویزیونهای رنگی
1-طریقه نصب دیکدور پال
2-طریقه نصب دیکدور سکام
طریقه نصب دیکدور NTSC
مدارات تهیه سیگنال های اولیه رنگ
1-تلویزیونهای رنگی سیستم RGB دار
2-تلویزیون های رنگی سیستم تفاضلی رنگ
خط تاخیر y برای چیست ؟
طریقه تشخیص سیستم RGB از تفاضلی در تلویزیون های رنگی
مدارات تهیه سیگنالهای اولیه رنگ در تلویزیون های شهاب 21 اینچ (مدارRGB)
مدارات تصویر (طبقه ویدئو)
طبقه ویدئو (تقویتY)در تلویزیون های شهاب
تعمیر طبقه ویدئو
منبع تغذیه
بررسی منبع تغذیه تلویزیون رنگی شهاب 21 اینچ
مدار دیگوسینگ چیست و چه کاری انجام می دهد ؟
اگر بر روی تصویر لکه های رنگی مشاهده شد چه کنیم ؟

تیونر

همانطوریکه در نمای کلی گیرنده های رنگی بررسی گردید امواج دریافت شده توسط آنتن به تیونر منتقل می گردد .، تیونر تلویزیونهای رنگی علاوه بر کارهای معمولی یک تیونر که از تلویزیون سیاه و سفید به خاطر داریم (انتخاب کانال‌ ، حذف امواج مزاحم ، تقویت موج فرستنده و . . . ) در خروجی خود امواج فرستنده را تبدیل به سه موج IF  به ترتیب زیر می کنند

1)                IF صدا (فرکانس 4/33 مگاهرتز)

2)                IF تصویر(فرکانس 9/38 مگاهرتز)

3)                IF رنگ(فرکانس 43/34 مگاهرتز)

تیونر ها در دو نوع مکانیکی و الکترونیکی درست می شوند ، در تلویزیونهای رنگی جدید اکثرا تیونر به صورت الکترونیک طراحی میشود . این تیونرها مدارات دریافت هر سه محدوده VHF I , VHF III , UHF  را دارا هستند ، در جدول زیر محدوده امواج تلویزیونی و تعداد کانالهای آنها مشخص شده است

  باند

     تعداد کانال

محدوده فرکانسی

VH I

        4 تا

     MHZ 68تا

 VHF III

        12 تا

   MHZ 230تا

UHF

       68 تا

  MHZ  676تا

در تیونرهای میکانیکی جهت آنکه کانال و محدوده کار تیونر را تعویض نمائیم دسته سلکتوری وجود دارد که این کار را انجام می دهد ، ولی در تیونرهای الکترونیک جهت این کار ، مداری در نظر گرفته شده است به نام مدار فرمان تیونر

بنابراین مدار فرمان تیونر باید بروی تیونرهای الکترونیک دو کنترل اعمال نماید اولا محدوده کار تیونر را مشخص کند که آیا بر روی UHF ، VHF I  ، VHF III باشد ثانیا معین کند در آن محدوده بر روی چه کانالی تصویر دریافت دارد

عمل اول با قطع و وصل ولتاژ تغذیه هر قسمت انجام می گیرد یعنی زمانی که می خواهیم تیونر بر روی محدوده VHF I کار کند ، مدار فرمان ولتاژ تغذیه دو باند VHF III و UHF  را قطع کرده و فقط ولتاژ تغذیه به باند VHF I می دهد . این باعث می شود که فقط باند VHF I  کار کرده و دو باند دیگر غیر فعال باشند

عمل دوم (تعویض کانال) با کم و زیاد کردن یک ولتاژ متغییر(معمولا صفر تا 33 ولت) توسط مدار فرمان تیونر و اعمال آن به دیودهای واریکاپ تیونر انجام          می گیرد

دیودهای واریکاپ چه عملی انجام می دهند ؟

دیودهای واریکاپ یکی از انواع دیودها هستند که وقتی در بایاس معکوس قرار گیرند میتوان با کم و زیاد کردن ولتاژ دو سرشان از آنها همانند یک خازن متغییر استفاده نمود

حال در تیونر های الکترونیک در هر باند تیونر ، تعدادی دیوید واریکاپ قرار گرفته که مدار فرمان تیونر بسته به کانال انتخابی توسط مصرف کننده ولتاژ دو سر دیودهای واریکاپ تیونر در آن قسمت را تغییر داده و ظرفیت دیود واریکاپ را برای آن کانال تعیین می کند ، در حقیقت از دیودهای واریکاپ به عنوان قسمتی از مدارات هماهنگ داخل تیونر استفاده شده است

 

 

بررسی تیونر تلویزیون رنگی شهاب 21 اینچ :

تیونر این تلویزیون از نوع الکترونیک بوده و قدرت دریافت هر سه محدوده ، UHF و VHF III و VHF I  را دارا می باشد ، کنترل این تیونر بر عهده آی سی کنترل تلویزیون (ICSO1 ) می باشد

طریقه تنظیم کانال توسط آی سی کنترل : برای آنکه مشخص شود بر روی چه محدوده ای کار کند ، سه پایه BL و BU و BH در بین پایه های تیونر وجود دارد . BU تغذیه محدوده UHF داخل تیونر ، BL تغذیه محدوده مدار VHF I و BH تغذیه مدار محدوده VHF III تیونر است

طرز کار به این صورت است که وقتی تلویزیون فرمان کار روی محدوده UHF  دریافت کرد ، آی سی کنترل (ICSO1 ) ولتاژ مثبت بیس Q101 را کم می کند ، چون ترانزیستور به محدوده UHF تیونر می رود

در همین حال آی سی کنترل ولتاژ بیس دو ترانزیستور Q102  و Q103  را زیاد کرده ولتاژ قسمتهای BL(VHFI ) و BH (VHFIII)قطع میگردد ، که می توان با توجه به جدول زیر این فرمان آی سی کنترل را تست نمود

نام پین

               باند انتخابی

  BL

    BH

 BU

VHF I

12V

0V

0V

VHFIII

0V

12V

0V

UHF

0V

0V

12V

طریقه تنظیم کانال :

همانطوریکه قبلا ذکر گردید برای تعویض کانال بین صفر تا 30 ولت که توسط تنظیم کننده ائی قابل تنظیم است به دیودهای واریکاپ داخل تیونر اعمال شده و باعث انتخاب کانال میگردد

در این تلویزیون ولتاژ 103 ولت پایه سه ترانس T801 در منبع تغذیه (STR) توسط مقاومت R105 کم شده توسط زینر 33 ولتی D102 در 33 ولت تثبیت شده به کلکتور ترانزیستور Q304 داده می شود

ولتاژ بیس این ترانزیستور تحت کنترل آی سی می باشد (پایه 1 آی سی ) حال آی سی کنترل فرمان تعویض کانال ولتاژ بیس این ترانزیستور را از طریق پایه 1 خود کم و یا بلعکس زیاد می کند و باعث می گردد بسته به کانال انتخاب شده توسط مصرف کننده ولتاژی بین 3/0 ولت (در پائین ترین کانال) و 29 ولت (در بالاترین کانال) در هر باند به پین VT روی تیونر رسیده و از طریق این پین به دیویدهای واریکاپ داخل تیونر اعمال گشته ظرفیت آنها برای کانال انتخابی تنظیم گردد

AGC تیونر (AGC Delay ) :

از طبقه agc ولتاژ کنترل به تیونر اعمال گشته که این ولتاژ بستگی به قدرت سیگنال مرکب دریافتی از تیونر دارد ، به این معنی که وقتی سیگنال دریافتی خیلی قوی باشد باید مقدار سیگنال عبوری از تیونر به طبقه IF را کم کرد و وقتی سیگنال ضعیف است باید کل این سیگنال ضعیف ، بدون تضعیف تحویل طبقه IF گردد

در این تلویزیون ولتاژ این قسمت توسط پایه 13 آی سی IF و آشکار ساز ) IC101) تامین می گردد که د ر هنگام سیگنال ضعیف به حدود 3/7 ولت و در هنگام دریافت سیگنال قوی به 4/2 ولت می رسد

سیستم AFT    :

ولتاژ تغذیه اسیلاتور تیونر توسط این پین از طبقه IF تنظیم می شود . اگر در هنگام دریافت ایستگاههای ضعیف فرکانس اسیلاتور دقیق نباشد باعث برهم خوردن مشخصات تصویر می شود

این مدار در طبقه IF  باعث قفل شدن فرکانس اسیلاتور تیونر در مقدار صحیح آن می شود ( با اعمال ولتاژ مثبت یا منفی به این پین ، توضیح کامل طرز کار AFT در طبقه IF  آمده است )

در این تلویزیونها در جلوی تلویزیون دکمه ائی به نام نیز وجود دارد ، طریقه تنظیم آن به این صورت است که در هنگام دریافت ایستگاه ضعیف ابتدا تیونر را روی آن ایستگاه تنظیم می کنیم (در این حالت تصویر ایستگاه متناوبا برفکی و خوب می شود ) ،‌ ، حال دکمه AFT را فشار داده تا تیونر (اسیلاتور تیونر) دقیقا بر روی آن ایستگاه قفل شود

طریقه کانال یابی اتومات :

در تلویزیونهای مولتی سیستم (تلویزیونهای رنگی جدید) یکی دیگر از کنترل های بخش فرمان بر روی تیونر کانال یابی اتوماتیک است

بخش 2

طبقه IF   آشکار ساز و AGC  

در تلویزیونهای رنگی معمولا سه بخش فوق در یک مدار و یا یک آی سی طراحی می شوند ود ر داخل بدنه فلزی قرار می گیرند ( به علت شیلدن شدن در مقابل امواج مزاحم )

الف- بخش تقویت IF

این قسمت معمولا شامل چند فیلتر جهت حذف و تضعیف امواج مزاحم ، چند IF جهت تشکیل باند گذر IF  و چند طبقه تقویت کننده می باشد تا امواج خارج شده از تیونر را به مقدار کافی تقویت کرده تا قابل آشکار سازی باشد

امواج مزاحم در طبقه IF  کدامند ؟

1-              امواج IF  کانالهای مجاور

تیونر علاوه بر ایجاد IF  صوت و تصویر کانال مورد نظر ، موج IF  کانالهای مجاور را نیز تولید کرده که این امواج بدلیل آنکه امواجی ناخواسته هستند باید کاملا حذف شوند (فرکانسهای 9/31 و 4/40 مگاهرتز)

2-              موج IF صدای خود کانال

این موج نیز باید توسط طبقه تقویت IF  به مقدار کم تضعیف شود ، به علتی که اگر IF  صدا در خروجی آشکار ساز تصویر خیلی قوی باشد قابل حذف توسط مدارات فیلتر نخواهد بود و این موج از طبقات تصویری عبور کرده بر روی تصویر به صورت نویز (پرده توری روی تصویر)ظاهر خواهد شد  بنابراین در این طبقه فرکانس IF خود کانال (4/33 مگاهرتز) به مقدار کم ضعیف می شود . با توجه به موارد فوق از فیلتر های بالا پهنای باندی با مشخصات زیر به وجود می آید

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

تحقیق دستیابی به صرفه جویی انرژی در سیستم عامل موبایل در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 تحقیق دستیابی به صرفه جویی انرژی در سیستم عامل موبایل در word دارای 30 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد تحقیق دستیابی به صرفه جویی انرژی در سیستم عامل موبایل در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه تحقیق دستیابی به صرفه جویی انرژی در سیستم عامل موبایل در word

چکیده    
1 مقدمه    
2 انگیزه    
3نتایج اولیه    
4معرفی ERDOS    
41 کاربر محور مدیریت منابع.    
42 دسترسی از راه دور دستگاه ها و امنیت    
سنسور و منابع دیگر مانند رابط های شبکه و CPU    
43 معماری    
5کار مربوط    
6نتیجه گیری و کار آینده    

7 منابع

[1] A. کارول و G. Heiser.تجزیه و تحلیل مصرف برق

در گوشی های هوشمند است. در کنفرانس سالانه USENIX فنی،

[2] A. Chaintreau، هوی P.، J. Crowcroft، Diot C.، R. گس، و J. اسکات. تاثیر تحرک انسان در فرصت طلب حمل و نقل الگوریتم باشد. معاملات IEEE در تلفن همراه رایانه، 2007

 [3] E. Cuervo، A. Balasubramanian، D.-k. چو، A. وولمن، S. Saroiu، R. چاندرا، و P. Bahl. مائوئی: ساخت تاریخ و زمان آخرین طولانی تر گوشی های هوشمند با کد خاموش OAD. در ACM MobiSys،

[4] C. S. الیس. در مورد مدیریت انرژی و توان در سطح بالاتر است. به HotOS،

 [5] J. Flinn و Satyanarayanan M.. PowerScope: A ابزار پروفسور لینگ استفاده از انرژی برنامه های کاربردی موبایل. به WMCSA، 1999

[6] R. Fonseca، P. دوتا، P. Levis، I. Stoica، C. برکلی، و C. استنفورد. Quanto: انرژی ردیابی در شبکه سیستم های جاسازی شده است. در OSDI،

[7] MB جونز، DL McCulley، A. Forin، PJ صافی، D. رو ¸ سو، و D. L. رابرتز.مروری بر ریالتو زمان واقعی معماری. در ACM SIGOPS، 1996

[8] E. Miluzzo، CT کورنلیوس، A. Ramaswamy، T. Choudhury،

Z. لیو، و T. A. کمپبل. داروین تلفن: تکامل

سنجش و استنتاج بر روی گوشی های تلفن همراه است. در ACM MobiSys،

[9] D. موری، E. Yoneki، J. Crowcroft، و S. دست. جمعیت

محاسبات. در ACM MobiHeld، 2010

[10] SM رامبل، R. Stutsman، P. Levis، Mazières D.، و

N. Zeldovich. دستگیری دزد ژول با خاکستر. به

MobiHeld ACM، 2009

چکیده

یکپارچه سازی اجزای سخت افزاری مختلف در دسترس در حال حاضر گوشی های هوشمند عملکرد آنها را بهبود می بخشد، اما کاهش می دهد خود را عمر باتری برای چند ساعت از عمل. با وجود پیشرفت های مثبت به دست آمده توسط سخت افزار و سیستم عامل فروشندگان را به سیستم عامل تلفن همراه بیشتر در مصرف انرژی کافی EFF در سطوح مختلف، ما معتقدیم که مدیریت انرژی و توان کافی EFF در دستگاه های تلفن همراه لایه بندی دقیق از سیستم ناشی از پیچیده در معرض خطر مدل های کسب و کار تلفن همراه است که کاهش در برابر متقابل لایه بندی بهینه سازی. با این حال، بسیاری از اتاق را برای بهبود در سیستم عامل. این مقاله ErdOS، یک کاربر محور انرژی آگاه از سیستم عامل است که عمر باتری تلفن همراه گوشی های با مدیریت منابع فعالانه و با بهره گیری از فرصت طلب دسترسی به منابع در دستگاه های نزدیک و با استفاده از ارتباط بین کاربران است

1 مقدمه

سیستم عامل تلفن همراه کنونی ادغام سنسورهای مانند GPS، چندین انواع رابط های بی سیم، طیف گیگا هرتزی چند CPU و صفحه نمایش لمسی است. این روند bootstrapped تولد ثروتمند تلفن همراه برنامه های کاربردی است که، با وجود بهبود قابلیت استفاده از دستگاه، می تواند تبدیل انرژی بسته غرق در راه است ‘کاربران تعامل با

گوشی خود. در واقع، دولت از هنر باتری های لیتیوم یون به وضوح نشان می دهد که ظرفیت هنوز هم با طراحی محدود می شود پارامترهایی نظیر اندازه باتری و وزن برای سال آمده است

هر دو سخت افزار و سیستم عامل تولید کنندگان و روش های جالب برای افزایش طول عمر باتری تلفن همراه گوشی ها در سطح های مختلف سخت افزاری و نرم افزار. با این حال، خود را تلاش ها توسط لایه بندی دقیق از سیستم است که باعث محدود تفاوت فرقه به صلیب لایه بهینه سازی است که ممکن است در غیر این صورت بهره برداری نسبتا سر راست است. به عنوان مثال، و بر خلاف با لپ تاپ، سیستم عامل، دسترسی مستقیم به اطلاعات مربوط به دریافت نمی جنبه های سخت افزاری گوشی مانند تلفن و رادیو سخت افزارمصرف برق. دلیل این محدودیت است اکوسیستم کسب و کار پیچیده ای است که در آن چندین بازیکن (به عنوان مثال تلفن همراه ارائه دهندگان شبکه، ارائه دهندگان محتوا، ارائه دهندگان خدمات ابر، تولید کنندگان سخت افزار و سیستم عامل فروشندگان) به رقابت حفظ سهم خود را از کسب و کار تلفن همراه. جدید باز سیستم عامل مانند آندروید و Maemo نرم نوکیا ارائه فرصت های جدید برای بهبود است در این مقاله ErdOS، سیستم عامل تلفن همراه است که مورد سوء استفاده قرار کاربر محور بهینه سازی به گسترش عمر باتری تلفن همراه گوشی. ما بر این باورند که یکی از دلایل انرژی های تلفن همراه ineff ابداع این است که سیستم عامل های فعلی را به طور طبیعی نمی کنترل دسترسی به منابع انرژی گیر به یک برنامه گرفتن به الگوهای از کاربران تعامل با گوشی خود است

دو روش که ادغام برای حل این مشکل، عبارتند از

• فعال سیستم مدیریت منابع که پیش بینی می نیازهای آتی منابع و وضعیت در کاربران

عادات و ترجیحات • دسترسی به فرصت طلب به منابع محاسباتی موجود در دستگاه های در این نزدیکی هست با استفاده از رابط های محلی بی سیم و اطلاعات در مورد شبکه های اجتماعی کاربران را (که می تواند به دست آمده از خدمات آنلاین، حساب های ایمیل و آدرس کتاب) فراهم کردن دسترسی سیاست های کنترل این سیستم تلاش برای استفاده بهینه از تمام منابع موجود در محیط در مد توزیع با در نظر گرفتن وضعیت، تنظیمات کاربران و هم محلی و راه دور منابع در دسترس است. در اوایل کار ما بر درک تاثیر از کاربران تلفن همراه در تقاضا منابع [14] و نتایج ما توسط شبیه سازی (که بعدا جزئیات) به دست آمده است، به وضوح نشان می دهد که ممکن است برای دستیابی به صرفه جویی انرژی با این تکنیک بدون پبدا تجربه کاربر. با این حال، یک سیستم مانند ErdOS باز می شود جدید فنی و چالش های تحقیقاتی مانند منصفانه الگوریتم های زمان بندی برای توزیع منابع در حالات پویا، سیاست های کنترل دسترسی آگاه از انرژی برای به اشتراک گذاری منابع، مناسب اینتر فرایند ارتباطات (IPC) مکانیسم برای دسترسی به طیف متنوعی از منابع راه دور و F نهایتا، غیر محاسباتی تکنیک های شدید برای نظارت و پیش بینی منابع خواسته ها و دولت است. با این حال، ما اجازه می دهد تا کاربر را به تصمیم گیری که آیا برای فعال کردن و یا ویژگی های به صورت خودکار از ErdOS. برخی از کاربران ممکن است ترجیح می دهند برای دریافت بازخورد از سیستم در مورد آینده انرژی در دسترس نبودن محدودیت و یا منابع برای انطباق با راه  ارتباط برقرار کردن با دستگاه های خود را به جای فعال کردن منابع به صورت خودکار مدیریت به منظور گسترش عمر باتری

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله جنگ الکترونیک در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 مقاله جنگ الکترونیک در word دارای 86 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله جنگ الکترونیک در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله جنگ الکترونیک در word

مقدمه
اهمیت اقدامات جنگ الکترونیک
جایگاه اقدامات جنگ الکترونیک
الف- جنبه‌های استراتژیکی
ب- جنبه‌های تاکتیکی
اقدامات جنگ اکترونیک
حمله الکترونیکی (EA)
محافظت الکترونیکی (EP)
پشتیبانی جنگ الکترونیک
سیستم های رهگیری الکترونیکی
1- مقدمه
گیرنده های هشدار دهنده راداری
1-1-1- حساسیت RWR
2-1 اقدامات پشتیبانی الکترونیکی
1-2-1 آنتن های همه جهته
2-1-2-1- آنتن های مختص جهت یابی
1-2-2-1- گیرنده فرکانس
2-2-2-1 گیرنده فرکانس بسیار پهن
4-2-2-1 گیرنده های سوپرهتروداین این باند پهن
1-4-2-2-1 گیرنده کانالیزه
2-4-2-2-1 گیرنده BRAGG CELL صوتی – نوری
3-4-2-2-1 گیرنده میکرواسکن ( متراکم)
1-3-2-1 جهت یاب های از نوع مقایسه دامنه
2-3-2-1جهت یاب های از نوع سنجش فاز
5-4-4 اندازه گیری پهنای پالس
1-4-2-1 کشف اتوماتیک
2-4-2-1- کشف کننده های خودکار حلقه باز
3-4-2-1- کشف کننده های خودکار حلقه بسته
5-2-1- شناسایی و پردازش اطلاعات
6-2-1- نمایش
6-2-1- موارد مشکل در ESM
7-2-1- ویژگیهای نمونه یک سیستم ESM دریایی
8-2-1- عامل (ضریب – فاکتور) پیشرفته برد در محیط عملیاتی
فصل دوم
1-2- سیستم های اطلاعات الکترونیکی ELINT
1-1-2- حساسه های ELINT
2-1-2- مرکز پردازش کننده ELINT
3-1- سیستم های رهگیر مادون قرمزی
1-3-1- هشدار دهنده پرتاب موشک / هشدار دهنده نزدیک شدن موشک
2-3-1- سیستم های مادون قرمزی رو به جلو
ESM ارتباطی و اطلاعات ارتباطی
1-3- ESM ارتباطی
3-2- COMINT

مقدمه

اهمیت اقدامات جنگ الکترونیک

استفاده از تجهیزات الکترونیکی یا بطور مستقل انجام می‌گیرد. مانند رادارها و مخابرات و یا به صورت همراه و جزئی از سلاحهای نظامی دفاعی، مانند موشکها و هواپیما‌ها بکار برده می‌شود که در هر حال کاربرد صحیح آنها بهر صورتی که باشد، باعث ارتقاء سرعت، وقت و قدرت نظامی شده و موجب می‌گردد تا ضریب موفقیت در جنگهای امروزی بالا رود. ماحصل کلام اینکه در پرتو این کاربرد، شرایط میادین نبرد بگونه‌ای رقم زده شده است که امروزه این میدانها علاوه بر ایجاد عمق، پهناور و قضا دارای بعد چهارمی بنام «قلمرو و طیف امواج الکترومغناطیسی، هم شده‌اند. این بعد آنچنان در تمامی زوایا و نقاط صحنه‌های نبرد نفوذ در رسوخ کرده است که شاید بتوان گفت بدون توجه به آن پیشرفت در سایر ابعاد جنگ هم، امکان پذیر نخواهد بود. با آنکه این قلمرو (طیف امواج الکترومغناطیسی) نیز همانند زمان بطور فیزیکی ملموس و مشهود نمی‌باشد، ولی دارای اثرات و نتایجی است که ارزش حضور آن را تأیید می کند، از طرف دیگر مطرح شدن نگرش سیستمی نسبت به جنگها و شازعات بشری در قالب  اصول و تئوری‌های فرماندهی و کنترل ، نیروهای نظامی و درگیر را آن چنان به ارتباطات قوی و پیچیده هدایت و کنترل‌های سریع و نیز تصمیم‌گیریهای قاطع و به موقع نیازمند کرده است که نقش تجهیزات الکترونیکی و مخابراتی در اجرای این اصول و شیوه‌ها را نه تنها انکار ناپذیر بلکه هر اقدامی بدون آنها را امکان ناپذیر می نمایاند. مورد دیگر اینکه ، با توجه به ضرورت شناسائی رقبا و دشمنان در صحنه‌های جهانی و منطقه‌ای برای یک کشور و اطلاع از شرایط که آن کشور را جهت ایفای نقش منطقه‌ای و جهانی و حداقل حفظ موجودیت خود، توانمند می‌سازد

اهمیت و ارزشی بدست آوردن اطلاعات و آگاهی‌های کیفی، دقیق و سریع بیش از بیش مشخص می‌شود، با توجه به موارد فوق ، جا دارد که این دوران را «عصر اطلاعات» نامگذاری نمایند

بنابراین کشوری که دارای اطلاعات کافی در امور اشتراکی و تاکتیکی نباشد همانند یک عنصر کور و کر، ضعیف و مشفعل عمل خواهد کرد. لذا استنباط می‌شود که استفاده از تشعشعات الکترومغناطیسی ناشی از وسایل و تجهیزات الکترونیکی دشمنان و رقبا می‌توانند بعنوان یکی از مهمترین و غنی‌ترین منابع کسب اطلاعات مطرح گردد

با این استدلال است که در حال حاضر بعلت ارزش و اهمیت اطلاعات، آنرا فرد چهارم سیستمهای فرماندهی و کنترل  [1]می‌دانند . از سوی دیگر پیش بینی می گردد در نبردها و جنگهای آینده می‌توان از سه نیرو و قوه قدرتمند هسته‌ای شیمیایی و الکترونیکی بهره‌مند شد. اما از آنجائی که قدرت تخریب سلاحهای هسته‌ای زیاد بوده و اثرات ناشی از آن زیانبار است. بصلاح کشورهای واجد این سلاح نیست که از آن استفاده نمایند، زیرا خودشان هم بنحوی متضرر خواهند شد. از این رو آنرا بصورت یک عنصر بازدارنده مقبولتر می‌دانند . بدلایل مختلف و از جمله بعلت زشتی و قبحی که سلاحهای شیمیایی در جوامع بشری پیدا کرده است، استفاده وسیع از این سلاح‌ها هم توصیه نمی‌گردد. اما به لحاظ اینکه سیستمهای الکترونیکی دارای اینگونه محدودیتها نبوده و حتی ارکان استفاده از آنها در سلاحهای هسته‌ای و شیمیایی هم وجود دار د، لذا چنین نتیجه‌گیری می شود، جنگهای آینده شاید به احتمال ضعیف هسته‌ای یا شیمیایی باشد ولی بطور مسلم الکترونیکی خواهد بود. جهت روسنتز شدن بیانات فوق در اهمیت و ارزش جنگ الکترونیک در امور نظامی نمونه ای از استفاده آمریکا در بکارگیری تجهیزات الکترونیکی و امواج الکترومغناطیسی در کنترل و هدایت واحدهای تابعه‌اش در جهان در شرایط بحرانی و استراتژزیکی و همچنین جمع‌آوری اطلاعات از اقصی نقاط جهان بیان می شود

این سیستم که در بخش قابل توجهی از سیستم فرماندهی و کنترل جهانی آمریکا را تشکیلی می دهد، سیستم مخابرات ماهواره‌ای MIC STAR [2]می‌باشد که شیطان بزرگ سالهاست روی آن سرمایه‌گذاری کرده است. ملاحظه می‌شود که کلیه واحدهای عملیاتی، تاکتیکی و استراتژیکی و نیز واحدهای جمع‌آوری اطلاعات در نقاط مختلف جهان بصورت یک مجموعه یکپارچه درآمده است تا آمریکا و غرب بتوانند با سرعت و دقت بیشتر در جریان امور قرار گرفته و سریعاً قادر باشند، در موارد ضروری عکس‌العمل لازم را بکار ببندند

از این سیستم جهت ارتباط هدایت نیروهای واکنش سریع آمریکا از جمله در خلیج فارس و خاورمیانه استفاده مؤثری شده است. همچنین می‌توان از قابلیت مقابله با سیستمهای شنود و اختلال و نیز ارتباط بموقع و مطلوب با نیروهای متحرک تاکتیکی در نقاط مختلف جهان، بعنوان خصوصیت بارز دیگر این سیستم یاد کرده. بنابراین با توجه به مطالبی که بیان شد؛ می‌توان به اهمیت و ارزش تجهیزات الکترونیکی و بطور کلی طیف امواج الکترو مغناطیسی پی برد. ضمن اینکه مشاهده می شود که بالتبع در قبال بهره‌برداری از اینگونه تجهیزات، مقابله و ضدیت با آنها نیز از اهمیت و ارزش مشابه برخوردار خواهد بود در اینجاست که موجود ضرورت اقدامات جنگ الکترونیک با توجه به تعاریف ارائه شده، نقش اساسی در امور نظامی پیدا کره و جایگاهی سرنوشت ساز در جنگهای مدرن امروزی به خود یافته است و این امر تا آنجا پیشرفته است که بصورت یک اصل و دکترین نظامی درآمده و مطرح می‌گردد که

«هر نیرویی که بتواند در آینده طیف امواج الکترو مغناطیسی را تحت تسلط خود داشته باشد، طرف پیروز میدان نبود خواهد بود.»

جایگاه اقدامات جنگ الکترونیک

الف- جنبه‌های استراتژیکی

اصولاً استراتژی کلی یک کشور دارای ابعاد مختلف نظامی، سیاسی، اقتصادی و . . .  می‌باشد با توجه به اینکه استراتژی را بصورتهای مختلف بیان کرده‌ان، می‌توان استراتژی نظامی را بدین صورت تعریف کرد که

«هنر و فن بکارگیری شایع و امکانات نظامی یک کشور منجر شایسته بطوریکه بیشترین نتیجه را در  رسیدن به اهداف نظامی و سیاسی آن کشور فراهم آورد.» البته علیرغم تعاریف مختلف ارائه شده، می‌توان گفت چیزی که همگی بر آن اتفاق نظر و تأکید دارند. اینست که اساساً زمینه بحق استراتژی عمدتاً درباره وسائل این است تا اهداف و دیگر اینکه توجه طراحان استراتژیک تنها به این امر معطوف است که چگونه می توان به نحوی مؤثر از منابع نظامی مشخص، برای تحصیل آن اهداف سیاسی استفاده کر د. پس برای بدست آوردن تفوق بر دشمن لازم است مجموعه کاملی از ابزارها و وسایل در اختیار اهداف استراتژیک قرار گیرند که این ابزارها می‌توانند هم مادی باشند و هم معنوی و روانی، بعنوان مثال از بمباران اتمی گرفته تا انواع تبلیغات و یا،

بنابراین برای انتخاب بهترین و مناسب‌ترین وسیله، لازم است که نقطه ضعفهای دشمن با توانائیهای حدودی مقایسه شوند. اما اگر آنچه مورد معاوضه است، اهمیت و ارز ش بیشتری داشته باشد. آن وقت است که گاهی چاره‌ای جز توسل به زور و قدرت ارتش وجود ندارد. ولی در اینمورد هم انتخاب ابزار و وسایل استراتژیک از اهمیت والائی برخوردار است و باید از نقاط ضعف دشمن آگاه برد و تا حد امکان از آنها بهره‌برداری کرد

با توجه به مطالب فوق در باب استراتژی تمهیدات آن ملاحظه می‌گردد که استفاده گسترده از سیستمهای الکترونیکی و طیف امواج الکترومغناطیسی در سلاحهای مختلف نظامی و منازعات بین‌المللی این تجهیزات را بعنوان عنصر و ابزار استراتژیکی درآورده است و ادعای صحیحی است اگر گفته شود که تجهیزات جنگ الکترونیک از مهمترین منابع  و امکانات هر کشور به حساب آمده  و برای نیل به اهداف هر کشوری نقش اصولی و سهم بسزائی دارند بعنوان شال استفاده از موشکهای دوربرد و استراتژیک، بدون کاربرد تجهیزات الکترونیکی امکان ندارد و یا استفاده از سیستمهای پیچیده مخابراتی و الکترونیکی در سیستمهای فرماندهی و کنترل – نقش و جایگاهی استراتژیک و  حیاتی دارد. باید توجه داشت، علیرغم اینکه طیف امواج الکترومغناطیسی بصورت یک نقطه قوت و قدرت تسلیحات نظامی- دفاعی و امنیتی درآمده است. با این  وجود که از طرف دیگر با ظهور سیستمها و تجهیزات ضد جنگ الکترونیکی در صحنه‌های نبرد در چند دهه اخیر، اگر نتوان از طیف امواج الکترومغناطیسی منجر مطلوب و صحیح استفاده کرد. این به نوبه خود به عنوان یک نقطه ضعف بزرگ محسوب گشته و عاملی در کاهش شدید کار آرائی و نهایتاً بی ثمری سیستمهای الکترونیکی خواهد گشت. بنابراین می شود ادعا کرد  که ، اگر سیستمهای الکترونیکی و مخابراتی از ابزارها و وسائل استراتژیکی محسوب می‌شوند، اقدامات و تجهیزات ضد جنگ الکترونیک نیز یک عنصر استراتژیک محسوب گشته و می‌توان گفت در عصر حاضر با شرایط موجود یکی از بهتری و شایسته‌ترین وسایل و ابزار استراتژیکی است که بیشترین نتیجه را در رسیدن به اهداف نظامی و سیاسی یک کشور در راستای تفلوق بر دشمن ایجاد می نماید. مؤید این مطلب نتایج و آثار مرتبت بر استفاده از این سیستمها در دو یا سه دهه اخیر می‌باشد. برای روشن شدن مطلب، مناسب است  در اینجا دیدگاههای شرق و غرب نسبت به مقوله الکترونیک آورده شود

آن استراتژی که غربیها و در راس آنها آمریکا جهت مقابله با دشمن به تعریف آن پرداخته، اقدامات مقابله با فرماندهی و کنترل نامیده شده که عبارتست از، مجموعه‌ اقداماتی که به منظور حفظ و نگهداری سیستمهای فرماندهی و کنترل نیروهای فردی و در مقابل، ممانعت از بهره‌برداری دشمن از سیستمهای فرماندهی و کنترل مربوطه‌اش اعمال می‌گردد. علیرغم اینکه جنگ الکترونیک به تنهایی به عنوان یک مجموعه مستقل نیز می‌تواند در عمل کند در این استراتژی اقدامات جنگ الکترونیک بعنوان یک عنصر پشتیبانی- رزمی و همراه با آن اقدامات مطرح می‌شود از طرف دیگر شرقیها و در رأس آنها روسیه نیز استراتژی خاص را تعریف کرده‌اند که آنرا نبرد رادیوالکترونیکی نامیده‌اند که عبارت است از «مجموعه کامل اعمال مرتبط با یک نبرد و تدابیری که در ارتباط با آن اتخاذ می‌شود از قبیل جمع‌آوری و تجزیه و تحلیل اطلاعات الکترونیکی، اقدامات فعال و غیر فعال ضد راداری، اقدامات ضد سیستمهای اپتیکی و مادون قرمز و بالاخره انهدام فیزیکی امکانات الکترونیکی دشمن.» آنچه که در این استراتژی محو کار قرار دارد، اقدامات جنگ الکترونیک و خصوصاً فعالیتهای شنود و محل یابی بطریقه الکترونیکی است. در این دیدگاه رمزی کرده است. بعبارتی ابرقدرت شرق بنا به اظهار نظر کارشناسان از لحاظ تئوریک، دیدگاهش فراتر از ابر قدر ت غرب رفته هر چند در عمل، از غربیها عقب‌تر است

البته بحث ما در این زمینه در مورد بیان جزئیات کار و تفاوت استراتژیها نمی‌باشد، بلکه بیان اهمیت و جایگاه استراتژیکی جنگ الکترونیک در هر دو دیدگاه است. برای نمونه  طبق آمار منتشر ه روسها به تنهایی دارای تقریباً 000/300 عنصر جهت جمع‌آوری و تحلیل اطلاعات الکترونیکی در سطح جهان هستند که این رقم به تنهایی حتی بیشتر از تعداد  نیروهای ناتو در این زمینه می‌باشد، نمونه‌های دیگر، استفاده وسیع و مؤثر آمریکا، اسرائیل و غرب در جنگهای ویتنام، خاور میانه، فالکنه، یاثامار لیبی از تجهیزات جنگ الکترونیک است. که بارزترین آنها استفاده آمریکا از سیستمهای جنگ الکترونیک بعنوان یک عنصر استراتژیکی و تعیین کننده در جنگ خلیج فارس و حمله به ناوگان نیروی دریائی ارتش جمهوری اسلامی و در نتیجه اعمال قدرت فرد در خلیج فارس و دریای عمان می‌باشد

در اینجا مناسب است دیدگاه عراق بعنوان دشمن منطقه‌ای جمهوری اسلامی را هم مد نظر قرار دهیم طبق اسناد و مدارک بدست آمده در طول جنگ تحمیلی ، عراق دیدگاه روسیه را داشته و نسبت به جنگ الکترونیک برخورد بالائی می‌نماید. بنحویکه بطور سازمانی دارای چندین گردان جنگ الکترونیک بوده و تقریباً کلیه سپاهای هفت گانه خود را به یک گردان جنگ الکترونیک مجهز کر ده و در این زمینه تا آنجا نیز پیش رفته که مسئولیت اصلی این اقدامات جنگ مجهز کرده و در این زمینه تا آنجا که پیشرفته که مسئولیت اصلی این اقدامات را بر عهده فرماندهان سپاههای خود قرار داده است. ما در طول جنگ تحمیلی شاهد بودیم که عراق از اقدامات جنگ الکترونیک استفاده شایانی نموده است کلیه مرز شرقی خود با ایران را تحت پوشش اینگونه اقدامات و حداقل در حد فعالیت شنود و محل‌یابی یگائها و مراکز حساس نیروهای نظامی نظامی جمهوری اسلامی ، قرار داده بود و بسیار محتمل است که به اینکار نیز ادامه دهد

ب- جنبه‌های تاکتیکی

اما از جنبه تاکتیکی نیز اقدامات جنگ الکترونیک بعنوان یک عنصر حیاتی و سرنوشت ساز مطرح می‌باشد بگونه‌ای که از آن بعنوان محضر تقویتی یا چند برابر کننده توان نیروهای خودی و بالعکس عنصر تضعیفی و یا تقسیم کننده توان نیروهای دشمن، نام برده می شود، لذا با چنین دیدگاههای علاوه بر اینکه اقدامات جنگ الکترونیک را بایستی در سر تا سر بدنه نیروهای نظامی بطور عام و بصورت یک فرهنگ نظامی اشاعه داده از جانب دیگر هم بایستی آنرا بصورت یک یگان رزمی ( و یا حداقل پشتیبانی رزمی) در نظر گرفته و همانند یگانهای پیاده، توپخانه زرهی و . . . .  در طرح مانورهای عملیاتی شرکت داده و بعنوان یک عنصر تهاجمی (البته در قلمرو و طیف امواج الکترونیکی مغناطیسی) از آن بهره‌برداری نموده و آنرا تنها بصورت یک عنصر جانبی و فرعی مناسبی بحساب آورد. هر چند متأسفانه چنین بوده است

برای روشنتر شدن مطالب فوق مثالهایی آورده می‌شود که تا حدودی مبنی بر واقعیات می‌باشد، اگر در جریان عملیات نظامی و در حین نبرد زمانیکه فرماندهان دشمن در حال هدایت یکانهای فرد برای آفند و مایه افند می‌باشند برای مدتی بتوان شبکه‌های ارتباطی آنها با یگانهایشان قطع کرده و یا آنرا مختل نموده یا آنها را فریب داده


[1] – Command Control- Communication and Intellisence

[2] – MILTAey Startectc/ Tacitical aRelay system

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله سنسورهای صنعتی در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 مقاله سنسورهای صنعتی در word دارای 39 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله سنسورهای صنعتی در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله سنسورهای صنعتی در word

مقدمه  
سنسور چیست؟  
موارد استفاده سنسورها  
ویژگی یک سنسور خوب  
سنسورهای بیولوژیکی و بیوسنسورها  
انواع سنسورها (حسگرها)  
سنسورهای بدون تماس  
انواع سنسورهای بدون تماس  
سنسورهای التراسونیک و کاربرد این سنسورها  
صنعتی  
سنسورهای التراسونیک  
سنسورهای القائی  
اساس کار و ساختمان سنسورهای القائی  
سنسور القائی خاص  
سنسورهای خازنی  
سنسورهای حرارتی  
سنسورهای نوری  
سنسورهای نوری یکطرفه  
سنسورهای نوری رفلکتوری  
سنسورهای مغناطیسی  
سنسور نخ  
عملکرد سنسور نخ  
سنسورهای کد رنگ  
سنسورهای کنترل سطح  
سنسورهای خازنی کنترل سطح  
سنسورهای مغناطیسی کنترل سطح  
سنسورهای نوری کنترل سطح  
شفت انکودر  
اسپید مانیتور   
اسپید مانیتور سری 6000  
عملکرد دستگاه  
منابع تغذیه سنسور  
منابع تغذیه تاخیری  
اندازه گیری دما توسط سنسورهای فیبرنوری و دیجیتال  
سنسورهای فیبر نوری  
سنسورها و ترانسمیترهای دیجیتال  
مولتی سنسور  
نمونه‌ای از کاربرد سنسورها  
سنسور تشخیص مانع، سه مرحله‌ای با حساسیت فوق‌العاده – مادون قرمز  
منبع  

مقدمه:

در طول دو دهه گذشته، رشد بی سابقه ای در شمار محصولات و خدماتی رخ داده که اطلاعات به دست آمده از راه مونیتورینگ (دیده بانی) و اندازه گیری را با استفاده از انواع مختلف سنسورها مورد استفاده قرار می دهند. فناوری سنسوری در دامنه وسیعی از حوزه ها از آب و هوا گرفته تا پزشکی، بازرگانی و صنایع کاربرد دارد. بسیاری از حکومت ها و سیاستگذاران جهان به خاطر منافع بالقوه فناوری سنسوری به تشویق و توسعه آن اهمیت زیادی می دهند. به این خاطر که از طرفی تشویق رشد فناوری های سنسوری به صورت گرایش های تکنولوژیکی جدید و به دنبال آن محصولات جدید در صنایع بومی نتیجه می دهد و به صورت کیفیت بهتر محصولات و بازدهی بهتر آنها (از راه گسترش سطح کنترل بر فرایندهایشان) خود را نشان می دهد

از طرفی هم توسعه تکنولوژی های سنسوری به اجرای قوانین حکومتی در زمینه ایمنی و آب و هوا کمک می کند

فواید تشویق فناوری های سنسوری در برنامه های برخی از کشورها، (به عنوان مثال در برنامه ملی پیش بینی تکنولوژی بریتانیا درباره فرصت های بالقوه ای که فناوری های سنسوری در ایجاد ثروت و کیفیت فراهم می کنند) مورد تأکید قرار گرفته. 15 تکنولوژی مستقل که دامنه وسیعی از بخش های مختلف صنایع را پوشش می دهند، نیاز جهانی به فناوری های سنسوری را انکارناپذیر کرده اند. در 13 تا از این 15 تکنولوژی، تکنولوژی سنسوری به صورت یک عنصر کامل در توسعه محصولات و خدمات شناخته می شود. در حقیقت فناوری سنسوری به صورت یک فناوری کلیدی با کاربردهایی با تنوع گسترده صنعتی و تحقیقاتی ظاهر شده

 

 سنسور چیست؟

سنسور دستگاهی است که یک کمیت فیزیکی را اندازه گیری می کند و آن را به یک سیگنال که می تواند به وسیله یک مشاهده گر یا یک اسباب خوانده شود تبدیل می کند. برای مثال دماسنج با جیوه در شیشه اش، دمای اندازه گیری شده را به شکل انقباض و انبساط یک مایع روی یک تیوب شیشه ای مدرج نشان می دهد. یا یک ترموکوپل دما را به یک ولتاژ خروجی که می تواند به وسیله ولت متر خوانده شود تبدیل می کند

در واقع سنسور اسبابی است که یک سیگنال یا محرک را می گیرد و به آن پاسخ می دهد. در این جا اصطلاح محرک به معنی خاصیت یا کمیتی است که نیاز است تا به فرم الکتریکی تبدیل شود. از این رو سنسور را می توان به عنوان اسبابی که یک سیگنال را می گیرد و آن را به فرم الکتریکی تبدیل می کند بنابراین بیشتر در دستگاه های الکترونیکی مورد استفاده قرار می گیرد- تعریف کرد. البته سنسور با ترانسفورماتور متفاوت است. چراکه یک ترانسفورماتور شکلی از انرژی را به شکل دیگری تبدیل می کند. در حالی که یک سنسور، سیگنال دریافت شده را تنها به فرم الکتریکی تبدیل می کند

میزان حساسیت سنسور به این ترتیب تشخیص داده می شود که خروجی آن موقعی که کمیت اندازه‌گیری شده تغییر می کند، تغییر کند. برای مثال هنگامی که تغییرات دما یک درجه سانتی گراد تغییر می کند و جیوه در دماسنج یک سانتی متر حرکت می کند، حساسیت یک سانتی متر درجه سانتی گراد است. سنسورهایی که تغییرات خیلی کوچک را اندازه گیری می کنند، لازم است حساسیت های خیلی بالا داشته باشند. همچنین سنسورها، روی چیزی که اندازه گیری می کنند فشاری وارد می کنند. برای مثال وقتی دماسنج دمای اتاق را، داخل یک فنجان مایع داغ می‌گذاریم، مایع خنک می شود. در حالی که مایع، دماسنج را گرم می کند

بنابراین لازم است سنسورهایی طراحی شوند تا اثر کوچکی روی آن چه که اندازه گیری می کنند داشته باشند. ساختن سنسور کوچک تر اغلب این کار را تسهیل می کند و ممکن است فواید دیگری هم داشته باشد

پیشرفت تکنولوژیکی اجازه می دهد که سنسورهای بیشتر و بیشتری در مقیاس میکروسکوپی ساخته شود

موارد استفاده سنسورها

سنسورها در اشیایی با کاربردهای روزمره مثل کف آسانسورهای لمسی-حسی (سنسور لامسه ای) و لامپ هایی که با لمس پایه شان روشن و خاموش می شوند به صورت آشکار دیده می شوند. همچنین کاربردهای بی شماری برای سنسورها وجود دارد که بیشتر مردم هرگز از آنها آگاه نمی شوند. به عنوان مثال سنسورها در خودروها، ماشین آلات، وسایل ماورای جو، تجهیزات پزشکی و ربات ها کاربرد دارند

ویژگی های یک سنسور خوب

یک سنسور خوب از قوانین زیر تبعیت می کند

به خاصیت فیزیکی اندازه گیری شده حساس است

به هیچ خاصیت دیگری حساس نیست

روی خاصیت اندازه گیری شده تأثیر نمی گذارد

سنسورهای ایده آل طراحی شده اند تا خطی باشند. سیگنال خروجی چنین سنسوری با خصوصیت اندازه گیری شده متناسب است

سنسورهای بیولوژیکی و بیوسنسورها

همه موجودات زنده حاوی سنسورهای بیولوژیکی هستند که با کارکردهایی شبیه به اسباب مکانیکی توصیف می شوند. بیشتر سلول های تخصصی شده به اینها حساسند

1-نور، حرکت، دما، حوزه مغناطیسی، رطوبت، ارتعاش، فشار، حوزه های الکتریکی، صدا و دیگر صور فیزیکی محیط خارجی

2-صور فیزیکی محیط داخلی مثل اتساع، حرکت موجود زنده

3-مولکول های محیطی شامل توکسین ها، مواد مغذی و فرومول ها

4-کنش و واکنش بیومولکول ها و برخی پارامترهای جنبشی

5-محیط متابولیک داخلی، مثل سطح گلوکز، سطح اکسیژن یا اسمولالیتی

6-مولکول های سیگنالی داخلی، مثل هورمون ها، سیتوسکین ها

7-تفاوت ها بین پروتئین های خود موجود زنده با محیط و موجودات بیگانه

سنسورهای مصنوعی که با استفاده از یک مؤلفه حساس بیولوژیکی از سنسورهای بیولوژیکی تقلید می کنند، بیوسنسور نامیده می شوند

انواع سنسورها (حسگرها)

سنسورهای بدون تماس:

سنسورهای بدون تماس سنسورهائی هستند که با نزدیک شدن یک قطعه وجود آن را حس کرده و فعال می‌شوند. این عمل به نحوی که در شکل زیر نشان داده شده است می‌تواند باعث جذب یک رله کنتاکتور و یا ارسال سیگنال الکتریکی به طبقه ورودی یک سیستم گردد

انواع سنسورهای بدون تماس

سنسورهای التراسونیک و کاربرد این سنسورها

شاید با کلمه التراسونیک یا Ultrasonic بر خورد کرده باشید.التراسونیک به معنای مافوق صوت است.فرکانسهای این محدوده را میتوان بین 40 کیلو هرتز تا چندین مگا هرتز در نظر گرفت.امواجی با این فرکانسها که کاربردهایی چون سنجش میزان فاصله،سنجش میزان عمق یک مخزن،تعیین فشار خون یک بیمار،همگن کردن مواد مذاب،استفاده در دریلها جهت ایجاد ضربه و کارائی بیشتر دریل،تست قطعات صنعتی از نظر کیفی جهت تشخیص شکافها و سوراخهای ریز و غیره اشاره کرد

جهت استفاده از این امواج یک سری سنسورهای مخصوص طراحی شده که میتوان این سنسورها را به دو دسته صنعتی و غیر صنعتی تقسیم بندی کرد.سنسورهای غیر صنعتی در فرکانسهایی در حدود 40 کیلو هرتز کار میکنند و در بازار با قیمتهای پایین در دسترس هستند. در این سنسورها دقت کار بالا نبود و فقط در حد تشخیص یک فاصله یا عمق یک مایع میتوان از آنها استفاده کرد.اما در سنسورهای صنعتی که در فرکانسهای در حد مگا هرتز کار میکنند به دلیل همین فرکانس بالا ما دقت زیادی را خواهیم داشت.به طور نمونه ما در اینجا بلوک دیاگرام طرح اندازه گیری میزان فاصله توسط میکروکنترلرavr را برای شما آورده ایم

همچنین دو طرح  جهت دانلود برای شما قرار میدهیم که در یکی از التراسونیک جهت تشخیص فاصله با استفاده از آی سی 555 استفاده شده است

صنعتی:

مناسبت جهت اندازه گیری موقعیت، زاویه، سرعت، طول و براساس کارکرد نوری یا مغناطیسی با دقت بالا می باشد. انکودرها  بصورت افزایشی (Incremental) و  مطلق (Absolute) به  صورت شفت دار(6و8و10 میلیمتری) و  یا Hollow شفت با خروجیهای پالس یا سریال (RS422) می باشند.  همچنین قابلیت اتصال به BUS های صنعتی از جمله PROFIBUS را دارند و نیر قابل برنامه ریزی از طریق نرم افزار مخصوص می باشند. کد شناسایی انکودرها به شرح ذیل می باشند

ATM 60/90,DRS60/61,DGS60/65/66,DKV60,AFM/AFS60,DFS60…

سنسورهای التراسونیک :

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

پایان نامه اثر میدانی در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 پایان نامه اثر میدانی در word دارای 87 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد پایان نامه اثر میدانی در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه پایان نامه اثر میدانی در word

مقدمه  
فصل اول  
مقدمه ای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن  
1-1 مقدمه  
1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت  
1-2-1 کربن بیشکل  
1-2-2 الماس  
1-2-3  گرافیت  
1-2-4 فلورن و نانو لوله های کربنی  
1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید – نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی  
فصل 2  
بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولولههای کربنی  
2-1 مقدمه  
2-2 ساختار الکترونی کربن  
2-2-1 اربیتال p2 کربن  
2-2-2 روش وردشی  
2-2-3 هیبریداسون اربیتالهای کربن  
2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی  
2-3-1 ساختار هندسی گرافیت  
2-3-2 ساختار هندسی نانولولههای کربنی  
2-4 یاختهی واحد گرافیت و نانولولهی کربنی  
2-4-1 یاختهی واحد صفحهی گرافیت  
2-4-2 یاخته واحد نانولولهی کربنی  
2-5 محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولولهی کربنی  
2-5-1 مولکولهای محدود  
2-5-2 ترازهای انرژی گرافیت  
2-5-3 ترازهای انرژی نانولولهی کربنی  
2-5-4 چگالی حالات در نانولولهی کربنی  
2-6 نمودار پاشندگی فونونها در صفحهی گرافیت و نانولولههای کربنی  
2-6-1 مدل ثابت نیرو و رابطهی پاشندگی فونونی برای صفحهی گرافیت  
2-6-2 رابطهی پاشندگی فونونی برای نانولولههای کربنی  
فصل 3  
پراکندگی الکترون فونون  
3-1 مقدمه  
3-2 تابع توزیع الکترون  
3-3 محاسبه نرخ پراکندگی کل  
3-4 شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون  
3-6 ضرورت تعریف روال واگرد  
فصل 4  
بحث و نتیجه گیری  
4-1 مقدمه  
4-2 نرخ پراکندگی  
4-3 تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی  
4-4 بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون  
4-4-1 بررسی توزیع سرعت در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا  
4-4-2 بررسی جریان الکتریکی در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا  
4-4-3 بررسی مقاومت نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا  
4-4-3 بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولولههای زیگزاگ نیمرسانا  
نتیجه گیری  
پیشنهادات  
ضمیمهی (الف) توضیح روال واگرد.  
منابع  

بخشی از منابع و مراجع پروژه پایان نامه اثر میدانی در word

[1] G. Moore, Electronics, 38, (1965),

[2] A. Bahari, P. Morgen, Surface Science, 602, (2008),

[3] Y.X. Liang, T.H. Wang, Physica E, 23, (2004),

[4] Christian Klinke, Ali Afzali, Chemical Physics Letters, 430, (2006),

[5] Jing Guo, Mark Lundstrom, and Supriyo Datta, Applied Physics Letters, 80,     (2002),3192

[6] Ph. Avouris, R. Martel, V. Derycke, J. Appenzeller, Physica B, 323, (2002),

[7] H. Raffi-Tabar, Physics Reports, 390, (2004),

[8] Jianwei Che, Tahir¸ Cagin and William A Goddard, Nanotechnology, 10, (1999),

[9] Qingzhong Zhao, Marco Buongiorno Nardelli and J.Bernholc, Physical Review B, 65, (2002)

[10] Paul L. McEuen, Michael S. Fuhrer and Hongkun Park, IEEE Transactions on Nanotechnology, 1, (2002),

[11] S. Iijima and T. Ichihashi, Nature, 363, (1993),

[12] K.B.K. Teo., IEE Proc.-Circuits Devices Syst. 151, (2004),

[13] Rodney S.Ruoff, DongQian, WingKam Liu, C.R.Physique, 4, (2003),

[14] Cheung, C. L., Kurtz, A., Park, H. and Lieber, CMJ Phys. Chem B, 106, (2002),

[15] Y. Kobayashi, H. Nakashima, D. Takagi and Y. Homma, Thin Solid Films, 464, (2004), 286   

[16] Anazawa, Kazunori, Shimotani, Kei, Manabe, Chikara, Watanabe, Hiroyuki and Shimizu, Masaaki, Applied Physics Letters, 81, (2002),

[17] Lee Seung Jong, Baik Hong Koo, Yoo Jae eun and Han Jong hoon, Diamond and Related Materials, 11, (2002),

[18] T. Guo, P. Nikolaev, A. Thess,  D. T. Colbert, and R. E. Smalley, Chemical Physics Letters, 243,  (1995), 49

[19] E. Yoo, L. Gao, T. Komatsu, N. Yagai, K. Arai, T. Yamazaki, K. Matsuishi, T.Matsumoto, and J. Nakamura, J. Phys. Chem. B, 108, (2004),

[20] Bae-HorngChen , Jeng-Hua Wei , Po-Yuan Lo , Hung-Hsiang Wang , Ming-Jinn Lai ,        Ming-JinnTsai, Tien Sheng Chao , Horng-Chih Lin and Tiao-Yuan Huang, Solid-State Electronics, 50, (2006),

[21] Ji-YongPark, Nanotechnology, 18, (2007),

[22] Madhu Menon, Physical Review Letters, 79, (1997),

[23] R.Satio, M. S. Dresselhaus, G. Dresselhaus, Physical Properties Of Carbon Nanotubes, Imperial College Press, ISBN 1-86094-093-5, (1998)

[24] Jens Peder Dahl, Introduction to the Quantum World of Atoms and Molecules, World Scientific Publishing Company, ISBN: 9810245653, (2001)

[25] Leonard L. Schiff, Quantum Mechanics 1st Edition, McGraw – Hill Book Company, ISBN: 0070552878, (1948)

[26] Charles Kittle, Introduction to solid state physics 7th edition, John Wiley and Sons, ISBN: 0-471-11181-3, (1996)

[27] Neil W. Ashcroft, N. David Mermin, Solid State Physics, Saunders College Publishing, ISBN: 0-03-083993-9, (1976)

[28] J. J. Sakurai, Modern Quantum Mechanics, Addision – Wesley Publishing, ISBN: 0-201-53929-2, (1994)

[29] R. A. Jishi, L. Venkataraman, M. S. Dresselhaus, and G. Dresselhaus, Chemical Physics Letters, 209, (1993),

[30] YXiao ,XHYan ,JXCao and JWDing,  J.Phys. Condense Matter, 15, (2003),

[31] A. S. Davydov, Quantum Mechanics, Pergamon Pr, ISBN: 0080204376, (1976)

[32] G. Pennington and N. Goldsman, Physical Review B, 68, (2003),

[33] G. Pennington and N. Goldsman, IEICE Transactions on Electronics, 86, 372 (2003)

[34] S. Saito and A. Zettle, Carbon Nanotubes Quantum Cylinders of Graphene, Elsevier, ISBN: 978-0-444-53276-3, (2008)

[35] Xinjian Zhou, Carbon Nanotube Transistors, Sensors, and Beyond, In Partial Fulfillment of the Requirements for the Degree of Doctor of Philosophy, Cornell University, (2008)

[36] Ali Javey, Hydoungsub Kim, Markus Brink, Qian Wang, Ant Ural, Jing Guo, Paul Mcintyre, Paul Mceuen, Mark Lundstrom and Hongjie Dai, Nature materials, 1, (2002),

[37] J. M. Zeeman, Electrons and Phonons, The International Series Of  Monographs On   Physics, ISBN:0-19-580779-8, (1960)

[38] JingGuo, MarkLundstrom, Applied Physics Letters, 86, (2005),

[39] Anisur Rahman, Jing Guo, Supriyo Datta and Mark S. Lundstrom, IEEE Transactions on Electron Devices, 50, (2003),

[40] D.V. Pozdnyakov, V.O. Galenchik, F.F. Komarov, V.M. Borzdov, Physica E, 33 (2006)

[41] R. Mickevicius, V. Mitin and U. K. Harithsa, J. Applied Physics, 75, (1994),

[42] Yung-Fu Chen and M. S. Fuhrer, Physical Review Letters, 95, (2005),

1-1 مقدمه

 کربن با عدد اتمی 6 در گروه ششم جدول تناوبی قرار دارد. این عنصر ترکیب اصلی موجودات زنده را در بر گرفته است. بنا بر این بیشتر دانشمندان سعی می­کنند ترکیبات کربنی را در شاخه­ی شیمی آلی بررسی کنند. این عنصر از دیر باز برای انسان به صورت دوده و ذغال چوب شناخته شده بود. گونه­های متفاوت دیگری از کربن نیز وجود دارند که تفاوت این گونه­ها صرفاً به شکل گیری اتم­های کربن نسبت به هم یا به ساختار شبکه­ای آن­ها بر می­گردد

1-2 گونه های مختلف کربن در طبیعت

        انواع گوناگون کربن که تاکنون مشاهده شده­اند به صورت زیر می باشد

 

1-2-1 کربن بی­شکل

از سوختن ناقص بسیاری از هیدروکربن­ها و یا مواد آلی (مثل چوب یا پلاستیک) ماده سیاه رنگی به جا می­ماند که کربن بی­شکل یا آمورف نام دارد. این ماده که پس مانده­ی سوخت ناقص مواد آلی است از دیر باز جهت تولید انرژی بشر قرار می­گرفت.  ذغال چوب و ذغال سنگ از انواع مواد کربن بی شکل هستند که انسان با سوزاندن آن­ها انرژی زیادی را بدست می­آورد

 

1-2-2 الماس

الماس گونه­ی شناخته شده دیگری از کربن می­باشد که دارای ساختار بلوری منظمی است. در این ساختار هر اتم کربن با چهار اتم کربن دیگر پیوند برقرار می­کند. اتم­های الماس در یک شبکه  با ثابت شبکه  قرار دارند. طول پیوند کربن – کربن در این ساختار برابر  گزارش شده است [7]. این ماده به دلیل سختی بالا تمام عناصر موجود در طبیعت را می­خراشد و از این رو در تراش فلزات سخت، سرامیک­ها و شیشه از آن استفاده می­کنند. این ماده به دلیل درخشش بالایی که دارد از دیرباز در جواهر آلات نیز مورد استفاده قرار می­گرفته است

1-2-3  گرافیت

بررسی دقیق هندسی و خواص الکتریکی گرافیت را در فصل بعد انجام خواهیم داد. در اینجا فقط به معرفی این ماده به عنوان یکی از گونه­های کربن در طبیعت اکتفا می­کنیم. گرافیت از دیر باز جهت نوشتن به کار می­رفته است. گرافیتی که در طبیعت یافت می­شود معمولا دارای ناخالصی­هایی می­باشد و کربن خالص نیست

 1-2-4 فلورن و نانو لوله­های کربنی

در سال 1985 ریچارد اسملی[1] ساختاری جدید از کربن را کشف کرد که فلورن نامگذاری شد [8].  اولین فلورنی بود که کشف شد. این ملکول همانند یک توپ فوتبال کروی است و شامل 60 اتم کربن می­باشد که در گوشه­های شش ضلعی­های منتظم و تعدادی مشخص پنج ضلعی قرار دارد. سطح یک کره را نمی­توان تنها با شش ضلعی­های منتظم پوشش داد بنا بر این اتم­های کربن جهت قرار گیری بر روی یک سطح کروی ناچار هستند در بعضی از مکان­ها تشکیل پنج ضلعی بدهند. مولکول  متشکل از ساختاری با 20 شش ضلعی و 12 پنج ضلعی است [7]

بعد از گزارش کشف مولکول  دانشمندان زیادی شروع به انجام آزمایش­های جدید جهت ساخت مولکول­های جدید از کربن کردند. سرانجام در سال 1991 ایجیما[2] موفق به کشف نانولوله­های چند   دیواره­ی کربنی[3] شد [9]. دوسال بعد از گذارش کشف نانولوله­های کربنی چند دیواره، ایجیما و همکارانش

 موفق به ساخت نانولوله­های کربنی تک دیواره[4] شدند [10و11]. نانولوله­های کربنی به دلیل خواص الکتریکی جالبی که دارند در قطعات الکتریکی موارد استفاده زیادی می­توانند داشته باشند. این مواد به دلیل رسانش یک­بعدی در مقیاس نانو می­توانند جاگزین مناسبی برای فلزات و یا نیمرسانا­ها باشند

نانولوله­ ها بنا بر پیکربندی هندسی خود می­توانند خواص رسانایی و یا نیمرسانایی از خود نشان دهند و همین موضوع این مواد را از سایر مواد مشابه متمایز می­کند. نانولوله­ها علاوه بر سبک بودن استحکامی چند برابر فولاد نیز دارند  [13]. در شکل (1-1) انواع گوناگون کربن که در اینجا معرفی کردیم نشان داده­ایم

رسوب گذاری بخار شیمیایی[5]، قوس الکتریکی[6] و تبخیر لیزری[7]  عمومی­ترین روش­هایی هستند که جهت تولید نانو ساختار­ها از جمله نانولوله­های کربنی به کار می­روند

در روش  لایه­ نشانی بخار شیمیایی عموماً ترکیبات عالی از کربن همچون متان، اسیتیلن و. . .  را در یک کوره حرارتی از روی یک کاتالیزور مشخص عبور می­دهند در طی این فرایند کربن از ماده آلی جدا شده و روی کاتالیزر تشکیل نانولوله­ی کربنی می­دهد. در این روش می­توان نانولوله­های تک دیواره ویا چند دیواره تولید کرد. نانو ذراتی همچون نانو ذرات آهن، کبالت یا نیکل به تنهایی و یا به صورت مخلوط عموماً به عنوان کاتالیزور استفاده می­شوند [14و15]

روش قوس الکتریکی روش دیگری جهت تولید نانولوله­ها می­باشد. در این روش تخلیه الکتریکی بین دو الکترود گرافیتی در محیط گازی یا مایع انجام می­شود. روش­هایی جهت بهبود و بالا بردن راندمان نانولوله پیشنهاد شده است از جمله تخلیه قوس در میدان مغناطیسی [16] و یا استفاده از آنود چرخان جهت تولید قوسی با پلاسمای دوار [17]

روش تبخیر لیزری جهت تولید نانولوله­ی کربنی در سال 1995 به وسیله­ی گروه ریچارد اسملی مورد استفاده قرار گرفت [18]. در این روش جهت بخار کردن گرافیت که در کوره حرارتی قرار گرفته از لیزر استفاده می­کنند. بخار داغ گرافیت را به سرعت سرد می­کنند از چگالش بخار گرافیت برروی سرد کننده نانولوله­هایی با خلوص بالا تولید می­شود

نانولوله­های کربنی موارد استفاده زیادی دارند. از آن­ها می­توان به عنوان ذخیره­کننده هیدروژن استفاده کرد  [19]. همچنین در ادوات الکتریکی می­توان از آن­ها جهت سیم­های ارتباطی در ابعاد نانو استفاده کرد. اما یکی از کاربرد­های دیگر نانولوله­ها که ما در این پروژه به بررسی آن پرداختیم استفاده آن­ها در    ترانزیستور­های اثر میدانی است

1-3 ترانزیستورهای اثر میدانی فلز- اکسید – نیمرسانا[8] و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله­ ی کربنی[9]

همان گونه که در شکل (1-2) نشان داده ایم یک ترانزیستور فلز – اکسید – نیمرسانا متشکل از سه پایه فلزی به نام­های چشمه، درگاه و دررو و یک بستر از نیمرسانایی با آلایش مشخص می­باشد. بین بستر نیمرسانا و  پایه­های فلزی را یک عایق از هم جدا می­کند. همانطور که در شکل (1-2) مشاهده می­کنید ناحیه­ی کوچکی از قسمت زیرین دررو و چاهک را به وسیله­ی نیمرسانایی با آلایش مخالف با بستر به گونه­ای می­سازند که فاصله­ای میان آن دو باشد واین فاصله را همان ماده بستر پر می­کند این فاصله که محل عبور حامل­ها است را اصطلاحاً مجرا[10] می­نامند. هنگامی که ولتاژی به درگاه اعمال نشود دو پیوندگاه پشت به پشت  بین دررو و چشمه از شارش جریان جلوگیری می­کند. وقتی ولتاژی به درگاه اعمال شود بار الکتریکی به  فصل مشترک نیمرسانا و عایق القا می­شود این بارهای القا شده یک مجرای رسانش بین چشمه و درو ایجاد می­کنند. میزان این رسانایی با افزایش ولتاژ زیاد می­شود. اما با کوچک شدن ترانزیستور ضخامت اکسید و بالاطبع طول مجرای رسانش کاهش می­یابد. ایده­ای که به جای یک نیمرسانا با آلایش مشخص  از نانولوله­ی کربنی به عنوان کانال استفاده شود به وسیله­ی دانشمندان زیادی پیگیری شده است [20و21]. به طوری که محاسبات نظری و مشاهدات آزمایشگاهی نشان داده­اند این مواد به دلیل ساختار نواری یک بعدی که دارند جایگزین مناسبی در ترانزیستور­های جدید می­باشند. به ترانزیستوری که از نانولوله­ی کربنی به عنوان مجرای عبور جریان استفاده می­کند ترانزیستور اثر میدانی نانولوله­ی کربنی گفته می­شود (شکل 1-3). در این پروژه بنا داریم تا خواص الکتریکی نانولوله­های کربنی که به عنوان یک مجرا در ترانزیستور به کار رفته را بررسی کنیم. در فصل بعد ساختار الکتریکی نانولوله­های آرمیچر و زیگزاگ را مورد بررسی قرار می­دهیم. در فصل سوم روش­هایی را جهت بررسی ترابرد الکتریکی در نانولوله­ها مورد مطالعه قرار می­دهیم و در نهایت در فصل چهارم نتایج مربوطه را به نانولوله­های زیگزاگ تعمیم داده و نحوه­ی توزیع جریان در ترانزیستور را در شرایط مختلف فیزیکی مورد بررسی قرار می­دهیم

  

2-1 مقدمه

جهت بررسی نظری نانولوله­ های کربنی می­توان آن­ها را به صورت صفحات گرافیتی تصور کرد که به دور یک استوانه پیچیده شده باشند [13و22]. در واقع جهت بررسی خواص الکتریکی نانولوله­ها ابتدا به بررسی خواص الکتریکی گرافیت می­پردازیم سپس فرض می کنیم این صفحات گرافیتی به دور یک استوانه پیچیده شده­اند. با این فرض مجبور به اعمال شرایط مرزی مناسبی می شویم[11]. چون صفحات گرافیت از اتم­های کربن تشکیل شده اند و اربیتال های  در این صفحات در امر رسانش دخیل هستند جهت درک روشنی از امر رسانش در صفحه­ی گرافیت و در پی آن نانولوله­های کربنی بهتر است ابتدا به بررسی ساختار الکترونی کربن و پیوندهایی که برقرار می­کند بپردازیم

2-2 ساختار الکترونی کربن

در گونه­های مختلف کربن بجز الماس الکترون­های  هستند که در امر رسانش دخالت می­کنند [23]. جهت بررسی روش تنگ بست در مورد صفحه­ی گرافیتی و بدست آوردن نوارهای انرژی ابتدا باید درک روشنی از انرژی­های پیوندی و ماهیت پیوند­ها داشت. از این رو در این بخش ابتدا به بررسی   اربیتال­های کربن و سپس به بررسی انواع هیبریدهایی که کربن در پیوند با اتم­های کربن دیگر به وجود    می­آورد می­پردازیم

2-2-1 اربیتال p2 کربن

اتم کربن شامل 6 الکترون است. به منظور بدست آوردن تابع موج  در اتم کربن معادله­ی مستقل از زمان شرودینگر را باید برای اتم کربن حل نمود. جملاتی که در هامیلتونی مسئله ظاهر می­شوند شامل قسمت مربوط به انرژی جنبشی، اندرکنش کولنی الکترون با هسته و اندرکنش کولنی الکترون­ها با یکدیگر است. این هامیلتونی را در نهایت می­توان به شکل زیر نوشت

جمله اول سهم مربوط به انرژی جنبشی است. جمله دوم مربوط به اندرکنش کولنی الکترون با هسته است و جمله سوم مربوط به اثر کولنی الکترون با 5 الکترون دیگر است.  اندازه فاصله بین الکترون اربیتال  و الکترون iام است. معادله­ی ویژه مقداری مستقل از زمان به صورت زیر می باشد

چون فاصله بین الکترون  و سایر الکترون­ها معلوم نیست این معادله به صورت معمول قابل حل نیست. به منظور حل این معادله بعضی از تقریب­ها را باید منظور کرد

2-2-2 روش وردشی

اساس این روش بر این مبنا استوار است که معادله شرودینگر (2-1) تنها به ازای ویژه توابع خود دارای انرژی کمینه است [24]. در این روش ابتدا پتانسیلی را به عنوان سهم مربوط به اندرکنش کولنی         الکترون – الکترون پیشنهاد می­کنند و یک حدس برای تابع موج در نظر می­گیرند. سپس انرژی مربوط به تابع موج را کمینه می­کنند. با کمینه کردن این انرژی ضرایب مجهولی که در تابع موج قرار دارد بدست   می­آید. تابع پیشنهادی به تابع وردشی معروف است. این تابع را می­توان به صورت توابع اسلاتر[12] پیشنهاد داد. قسمت زاویه ای توابع اسلاتر همان هماهنگ های کروی هستند که در مورد اتم هیدروژن گونه بدست آمد. اما قسمت شعاعی این توابع به صورت زیر داده می شود [24]

n عدد کوانتمی اصلی،  اندازه حرکت زاویه ای و  می باشد.  شعاع بوهر برای اتم هیدروژن می­باشد. وردش مورد نظر که باید بدست آید  می باشد. پتانسیلی را که در هامیلتونی (2-2) می­توان پیش نهاد کرد پتانسیل هارتری است. در این پتانسیل فرض می­شود که الکترون در یک میدان مرکزی حاصل از بار هسته و چگالی باری که  برابر مجموع مجذور توابع موج الکترون های دیگر است حرکت می کند [25]

با قرار دادن این پتانسیل در معادله­ی شرودینگری که انرژی کل اتم را در بر بگیرد و کمینه کردن چشمداشتی انرژی نسبت به تابع موج کلی که به صورت دترمینان اسلاتر توابع اسلاتر در نظر گرفته      می­شود، می­توان توابع موج وردشی را به دست آورد. البته می­توان تابعی را که حاصل ضرب 6 تابع موج اربیتال اسلاتر باشد، با علم بر این موضوع که هیچ کدام اعداد کوانتمی اصلی را در بر نمی گیرند در نظر گرفت و محاسبات را سبکتر کرد [25]

در این رابطه  توابع موج اسلاتری هستند که قسمت شعاعی آنها با رابطه­ی (2-3) بیان می شود و قسمت زاویه­ای آن همان هماهنگ­های کروی هستند

تابع موج (2-6) هنگامی بهینه[13] می شود که تک تک توابع موج اسلاتر  دارای انرژی کمینه شوند [25]

   در رابطه­ی (2-8)  وردش تابع موج وردشی است که باید بدست آید. رابطه­ی (2-8) تشکیل یک دستگاه شش معادله شش مجهول می­کند که با حل آن وردش­های متفاوت  به دست می آیند. مقادیر بدست آمده در منابع برای اربیتال  اتم کربن عدد  را برای وردش پیشنهاد می کند [24]

2-2-3 هیبریداسون[14] اربیتال­های کربن

اربیتال p2 اتم کربن در جامدات کربنی بر اساس تابع شعاعی اسلاتر که در بخش قبل بیان کردیم به صورت زیر نوشته می شود

مؤلفه­های اربیتال p2 را در راستای محورهای مختصات دکارتی به صورت زیر می­توان نوشت

اندازه این اربیتال­ها در یکسری از نقاط ویژه در فضا مقدار قابل ملاحظه­ای را اتخاذ می کند. اگر این نقاط را در فضا رسم کنیم مشاهده می­کنیم که این اربیتال­ها به صورت دمبل­هایی هستند که در امتداد محورهای مختصات. قرار گرفته اند [24]. همان گونه که در شکل (2-1) نشان داده ایم اربیتال  دارای یک بازو با دامنه­ی منفی و بازوی دیگر با دامنه­ی مثبت است. این موضوع را از رابطه­ی (2-10 الف) به سادگی می­توان فهمید. تجزیه شدن اربیتال  در مولکول­ها و جامدات کربنی منشأ پیدایش هیبرید­های گوناگون این عنصر می­شود

چون فاصله تراز بالاتر  از تراز پایین تر چندان زیاد نیست بنابر این توابع موج این دو اربیتال می­توانند با هم به صورت خطی ترکیب شوند[23]. از نحوه­ی ترکیب شدن اربیتال با سه مؤلفه­ی اربیتال هیبریدهای گوناگونی به وجود می­آیند. به طور مثال اگر یک مؤلفه­ی اربیتال  با اربیتال  ترکیب شود تابع موج جدید را هیبرید  می­گویند. اسیتیلن با فرمول شیمیایی  دارای هیبرید  است. به همین ترتیب اگر دو مؤلفه از اربیتال  با اربیتال  ترکیب شود هیبرید  و اگر سه مؤلفه­ی اربیتال با اربیتال  ترکیب شود هیبرید  خواهیم داشت. تابع موج هیبرید  را می­توان به صورت زیر بدست آورد

هر مؤلفه از اربیتال ، دارای دو بازو است که یک بازوی آن دارای دامنه­ی منفی و بازوی دیگر دارای دامنه­ی مثبت است. در مورد هیبرید  چون اربیتال  دارای تقارن کروی است دو نوع متفاوت از ترکیب شدن وجود دارد. در حالت اول دامنه­ی بازوی سمت راست مؤلفه اربیتال  مثبت و در حالت دوم این بازو دارای دامنه­ی منفی است (شکل2-2). در این دو حالت، مؤلفه­ی اربیتال  با دامنه­ی مثبت را با این فرض که این مؤلفه­ها در راستای محور  باشند به صورت زیر می توان نوشت

دو نوع تابع موج هیبرید  را با توجه به روابط (2-11 الف) و (2-11 ب) و با در نظر گرفتن شرط بهنجارش می­توان به صورت زیر نوشت

 از آن جایی که اربیتال  دارای تقارن کروی می باشد و اندازه­ی دامنه بر روی هر سطح کروی روی آن مثبت وعددی ثابت است انتظار داریم مجموع احتمالات در راستای اربیتال  برابر واحد شود

  شرط تعامد باعث آن می شود که تمامی ضرایب برابر مقدار  شود[23]. اسیتیلن با فرمول شیمیایی  دارای این هیبریداسیون است. هیبرید  از یک اتم کربن با هیبرید  از اتم کربن دیگر در راستای یک خط مستقیم ایجاد یک پیوند قوی  به نام  می کند. دو مؤلفه­ی اربیتال p2 از هر اتم بر این خط و بر هم دیگر عمود هستند و با مؤلفه­های متناظر خود از اتم دیگر ایجاد یک پیوند ضعیف به نام پیوند  می کنند

در مورد هیبرید  که در صفحه­ی گرافیت و مولکول بنزن وجود دارد نیز به همین روش عمل می­کنیم. از ترکیب دو مؤلفه­ی گوناگون اربیتال p2 با یکدیگر می­توان توابع موج جدیدی را بدست آورد که در راستای خاصی از فضا دارای دامنه­ی مثبت و در راستای دیگر دارای دامنه­ی منفی باشد. در مورد هیبرید  مطابق شکل (2-3) آنچه انتظار داریم آن است که پیوند های  در راستای خطوطی واقع بر یک صفحه باشند که با هم دیگر زاویه 120 درجه بسازند. بنا بر این می­توان سه ترکیب متفاوت از مؤلفه­های اربیتال p2 نوشت که در راستای این خطوط دارای دامنه­ی مثبت باشند. همان گونه که در شکل (2-3) مشاهده می کنید این سه راستا برای اتم A به صورت ،  و  می­باشند بنا بر این 3 هیبرید متفاوت  برای اتم A به شکل زیر خوا هیم داشت

ضرایب را از شرط تعامد و توجیهی که منجر به رابطه­ی (2-13) شد می­توان بدست آورد [23]

در مورد اتم B نیز به همین صورت باید عمل نمود. در این حالت تابع موجی که باید نوشت همانند آنچه در دسته روابط (23-14) آوردیم است. با این تفاوت که در (2-14 الف) ضریب  را باید مثبت گذاشت و در بقیه­ی روابط این ضریب را باید منفی کرد

2-3 ساختار هندسی گرافیت و نانولوله­ ی کربنی

[1] Rick Smalley

[2] Iijima

[3] MWCNT

[4] SWCNT

[5] Chemical Vapor Deposition

[6] Arc Discharge

[7] Laser Vaporization

[8] MOSFET (Metal – Oxide – Semiconductor Field Effect Transistor)

[9] CNTFET (Carbon Nanotube Field Effect Transistor)

[10] Channel

[11] Zone-Folding

[12] Slater

[13] optimum

[14] Hybridization

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

مقاله جریان سیالات در word

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید

 مقاله جریان سیالات در word دارای 17 صفحه می باشد و دارای تنظیمات و فهرست کامل در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است

فایل ورد مقاله جریان سیالات در word  کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه  و مراکز دولتی می باشد.

این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است

توجه : توضیحات زیر بخشی از متن اصلی می باشد که بدون قالب و فرمت بندی کپی شده است

بخشی از فهرست مطالب پروژه مقاله جریان سیالات در word

1- مقدمه
2- ایده اصلی LES
3- Filtering
1-3) Schumann’s approach
2-3) Filtering
Sub grid-Scale modelling (SGS)
2-5)

1- مقدمه

پدیده های مربوط به جریان سیالات در علوم مهندسی و در طبیعت بسیار رخ می دهند و مهم می باشند. در اغلب موارد این پدیده ها همراه با جریانهای نقوش (TURBU LENT) و علی الخصوص جریانهای نقوش برشی (Turbulent Shear flow) می باشد. تخمین درست از مشخصات این جریانها نه تنها در مطالعه مکانیسم جریان بلکه برای طراحی انواع وسایل مهندسی حائز اهمیت است

روش های تجربی تنها راه اصولی برای حل مسائل جریانهای مغشوش برشی بوده است. مقادیر زیادی اطلاعات در مورد انواع جریانها جمع آوری شده است که برای فهم توربلانس و طراحی وسائل مهندسی از آنها استفاده شده است. بوسیله کامپیوترهای سریع و پیشرفته امروزی و حافظه بالای آنها، شبیه سازی کامپیوتری نیز به روش سومند برای حل جریانهای مغشوش تبدیل گردیده است

اما در عین حال باید به این نکته توجه زیادی داشت که انواع مقیاسهای (Scal) زیادی در جریان توربلا وجود دارد و در نتیجه ما نمی توانیم این مقیاسها را حتی بوسیله کامپیوترهای قوی امروزی حل نمائیم و ساختن مدلهایی برای مقیاسهای کوچک نوسانات که مرتبط با پروسه پخش انرژی می باشد غیر قابل صرف نظر می باشد

برای شبیه سازی جریانهای مغشوش بوسیله حل عددی معادلات ناویر – استوک و پیوستگی و با توجه به تئوری توربلانس همگن مقیاس پخش انرژی ld برابر است با

 همان نرخ پخش انرژی بر واحد جرم سیال می باشد. آزمایشات نشان می دهد که  توسط طول مشخصه L و سرعت مشخصه v جریان معین می گردد

از  بالا داریم

     ,     عدد

حال سعی می کنیم که تعداد نقاط مش (meshpoints) (N) که در شبیه سازی جریان های مغشوش با استفاده از روش F.D (المان محدود) و معادلات ناویر استوک و پیوستگی لازم می باشد را حدس بزنیم

از معادلات بالا

در پدیده های طبیعی عدد Re عموماً بسیار بزرگ می باشد به طور مثال برای عدد ایندارز از مرتبه  که غیر معمول هم نیست N از مرتبه  بدست می آید اگر بخواهیم مستقیماً مسئله را حل کنیم لذا روش (Direct Numerial Simulaton)  DNS حتی با کامپیوترهای امروزی در حل مسائل توربلانست کاربردی به نظر نمی رسد

2- ایده اصلی LES

فرض کنید که کسی بخواهد از روش DNS مسئله ای را حل نماید ولی تعداد مش مورد نیاز او از ظرفیت کامپیوتر تجاوز ننماید بنابراین وی مش درشت تری انتخاب می کند. این مش درشت تر می تواند ادی (eddy) های بزرگ را حل نماید ولی نمی تواند آنهایی که از یک یا دو سلول شبکه کوچکتر هستند را حل نماید. با توجه به این نکته حل شبکه بزرگتر بدون در نظر گرفتن تأثیر ادی های کوچکتر بر روی بزرگترها غلط می باشد. از 1 مدل ریز شبکه (Subgrid Sode) که بعداً مفصلاً توضیح می دهیم بوجود می آید

پس در این مدل تنها کوچکترها مدل می شوند و روی های بزرگتر مستقیماً بدون مدل کردن بدست می آید مزیت این روش نسبت به روشهایی که کل میدان حل را مدل می کنند مثل روش متوسط گیری رینواند معادله نواویر استوک (PANS) در همین است چون این روشها در مسائل خاص مثل چرخش و  با مشکلاتی مواجه هستند . اما روش LES به ما امکان حل مسائل پیچیده غیر همگن و ناپایدار را می دهد

برای دریافت پروژه اینجا کلیک کنید